[發明專利]套準標記及其形成方法

有效

• 申請號: 201410707589.9
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN105702662B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 鄧國貴;趙簡;林益世
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種套準標記的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括標記區；

在所述標記區的襯底中形成多個條形淺溝槽隔離結構，所述多個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底用于組成第一光柵，所述多個條形淺溝槽隔離結構作為第一光柵的狹縫；

在所述標記區的襯底上形成多個柵條，所述柵條位于相鄰兩個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底上方，在所述多個柵條之間形成間隔層，所述間隔層位于條形淺溝槽隔離結構上方，所述多個柵條組成第二光柵，所述多個柵條之間的間隔層作為第二光柵的狹縫。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述襯底為硅襯底，所述條形淺溝槽隔離結構和間隔層的材料為氧化硅，所述柵條的材料為多晶硅。

3.如權利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述條形淺溝槽隔離結構的厚度在0.01到0.13微米的范圍內，或者，條形淺溝槽隔離結構的厚度在0.22到0.35微米到范圍內。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述多個柵條之間形成間隔層的步驟包括：在所述多個柵條上覆蓋間隔材料層，對所述間隔材料層進行化學機械研磨，直到露出多個柵條的上表面，剩余位于多個柵條之間的間隔材料層形成間隔層。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：在所述襯底上形成多個柵條和間隔層之后，在所述多個柵條和間隔層上形成介質層。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述多個柵條和間隔層上形成介質層的步驟包括：

在所述多個柵條和間隔層上依次形成鈍化層、硬掩模層以及底部抗反射層。

7.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述的形成方法還包括：

在所述標記區的襯底的介質層上形成多個條狀圖形，所述多個條狀圖形組成第三光柵，所述多個條狀圖形之間的空間作為第三光柵的狹縫；所述第三光柵與第二光柵在襯底上的投影相鄰，并且多個柵條與多個條狀圖形在襯底上的投影沿同一方向延伸。

8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述條狀圖形與所述柵條在襯底上的投影在延伸方向上對齊。

9.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述多個條狀圖形的寬度在600納米到800納米的范圍內。

10.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述襯底還包括用于形成半導體器件的器件區，所述半導體器件包括柵極和和柵極上方的光阻圖形，所述光阻圖形具有位于柵極上方的開口，所述開口用于形成柵極上的通孔；

所述第二光柵和第三光柵用于測量柵極與柵極上方通孔的套刻精度，所述第二光柵的多個柵條和所述柵極同步形成，所述第三光柵和光阻圖形同步形成。

11.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述條形淺溝槽隔離結構和間隔層的寬度相等。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多個柵條的間距在400納米到600納米的范圍內，多個柵條的寬度分別在600納米到800納米的范圍內。

13.一種套準標記，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括標記區；

位于所述標記區的襯底中的多個條形淺溝槽隔離結構，所述多個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底用于組成第一光柵，所述多個條形淺溝槽隔離結構作為第一光柵的狹縫；

位于所述標記區的襯底上的多個柵條，所述柵條位于相鄰兩個條形淺溝槽隔離結構之間的襯底上方，在所述多個柵條之間具有間隔層，所述多個柵條組成第二光柵，所述多個柵條之間的間隔層作為第二光柵的狹縫。