[發明專利]一種MOSFET的并聯電路

有效

• 申請號: 201410706984.5
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104393861B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 許浩;孔慶剛;宋中奇;吳志敢
• 申請（專利權）人: 大連尚能科技發展有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K17/16
• 代理公司: 大連智高專利事務所(特殊普通合伙)21235
• 代理人: 李猛

技術領域

本發明涉及一種驅動電路，尤其涉及一種MOSFET的并聯電路。

背景技術

目前基于多MOSFET的并聯電路多采用貼片封裝，MOSFET的并聯電路焊接在鋁基板上，有助于MOSFET散熱和熱均衡，但是多個MOSFET并聯時，由于驅動線很長，MOSFET的PCB布局會比較大，以9個MOSFET并聯的低壓伺服驅動器鋁基板為例，單橋臂的9個MOSFET并聯時，最遠的兩個MOSFET之間的距離約為150mm，如此長的驅動線會導致并聯MOSFET電路存在驅動開通不一致的問題，同時其驅動開通也易受干擾。上述問題嚴重時會造成每個并聯的MOSFET的驅動開通的電流不一致，導致個別MOSFET老化嚴重或者直接損壞。

發明內容

為了解決上述問題，本發明提供了一種MOSFET的并聯電路，可以保重驅動開通的一致性，也增強了電路的抗干擾性。

本發明采用如下技術方案：一種MOSFET的并聯電路，包括一組并聯的MOSFET，各MOSFET的柵極與一電阻串接；至少在其中的一個MOSFET的柵極與源極之間串接電容器，電容器的電容值范圍為100pF-1uF，多個MOSFET柵極與源極之間串接的電容器為并聯。

進一步的，電容器均勻串接在并聯的MOSFET電路中，各個電容器的電容值相同，一個串接了電容器的MOSFET，與其不同側且相鄰的兩個串接了電容器的MOSFET所間隔的MOSFET的數量相同。

有益效果：本發明在MOSFET并聯電路中的至少一個MOSFET的柵極與源極之間串接電容器，電容器的電容值范圍為100pF-1uF，多個MOSFET的柵極與源極之間串接電容器為并聯，電容器在各個MOSFET流過不同電流時，負載突變，以此減緩MOSFET的驅動速度，使MOSFET驅動動作保持一致，從而導致流過每個MOSFET的電流相同，各個MOSFET發熱均衡，這就保證了并聯的每個MOSFET的使用壽命基本相同，也使得驅動電路具有很強的抗干擾能力。

由于上述電路組成，使得本發明還能對脈沖型的干擾提供很好的緩沖作用，以免較大的脈沖干擾侵入時，驅動電壓不會過高或過低，避免了MOSFET誤動作引起系統損壞。

附圖說明

圖1為本發明的實施例中的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖及具體實施例對本發明進一步說明。

實施例1：

如圖1所示，一種MOSFET的并聯電路，包括一組并聯的MOSFET，MOSFET的數量為9個，分別在其中的第3個MOSFET、第6個MOSFET、第9個MOSFET的柵極與源極之間串接電容器C3、C6、C9，每個電容器的電容值均為100pF，上述三個電容器為并聯，9個MOSFET的柵極都與一電阻串接。

本實施例中，電容器作為驅動緩沖電容均勻串接在并聯的MOSFET電路中，各個電容器的電容值相同，即3個相鄰的MOSFET做為一個區域，共享一個驅動緩沖電容，整個MOSFET并聯電路，使用了3個等值的驅動緩沖電容，即串接了電容器C6的MOSFET，與其在不同側(左、右兩側)且相鄰的兩個分別串接了電容器C3、電容器C9的MOSFET所間隔的MOSFET的數量相同，都為2個，將上述MOSFET并聯電路通以160A的電流，9個MOSFET之間的最大升溫與最小升溫的差值小于4度，滿足一致性的要求，同時這種等距的串接電容器的結構，也進一步加強了MOSFET驅動動作的一致性和抗干擾能力。

實施例2：

如圖1所示，一種MOSFET的并聯電路，包括一組并聯的MOSFET，MOSFET的數量為9個，分別在其中的第3個MOSFET、第6個MOSFET、第9個MOSFET的柵極與源極之間串接電容器C3、C6、C9，每個電容器的電容值均為500pF，上述三個電容器為并聯，9個MOSFET的柵極都與一電阻串接。

本實施例中，電容器作為驅動緩沖電容均勻串接在并聯的MOSFET電路中，各個電容器的電容值相同，即3個相鄰的MOSFET做為一個區域，共享一個驅動緩沖電容，整個MOSFET并聯電路，使用了3個等值的驅動緩沖電容，即串接了電容器C6的MOSFET，與其在不同側(左、右兩側)且相鄰的兩個分別串接了電容器C3、電容器C9的MOSFET所間隔的MOSFET的數量相同，都為2個，將上述MOSFET并聯電路通以160A的電流，9個MOSFET之間的最大升溫與最小升溫的差值小于4度，滿足一致性的要求，同時這種等距的串接電容器的結構，也進一步加強了MOSFET驅動動作的一致性和抗干擾能力。

實施例3：