[發明專利]一種MOSFET的并聯電路有效
| 申請號: | 201410706984.5 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN104393861B | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發明(設計)人: | 許浩;孔慶剛;宋中奇;吳志敢 | 申請(專利權)人: | 大連尚能科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687;H03K17/16 |
| 代理公司: | 大連智高專利事務所(特殊普通合伙)21235 | 代理人: | 李猛 |
| 地址: | 116600 遼寧省大*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mosfet 并聯 電路 | ||
【權利要求書】:
1.一種MOSFET的并聯電路,包括一組并聯的MOSFET,其特征在于:各MOSFET的柵極與一電阻串接;在多個MOSFET的柵極與源極之間串接電容器,電容器的電容值范圍為100pF-1uF,多個MOSFET柵極與源極之間串接的電容器為并聯;電容器均勻串接在并聯的MOSFET電路中,各個電容器的電容值相同,一個串接了電容器的MOSFET,與其不同側且相鄰的兩個串接了電容器的MOSFET所間隔的MOSFET的數量相同。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大連尚能科技發展有限公司,未經大連尚能科技發展有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410706984.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





