[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410705224.2
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104681516B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉建宏;溫英男
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L21/60;H01L27/146
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種晶片封裝體及其制造方法，特別為有關(guān)于以晶圓級封裝制程所形成的晶片封裝體。

背景技術(shù)

晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。

制作晶片封裝體的過程包括將晶圓基底切割為多個晶片之后，將晶片放置于尺寸大于晶片的導(dǎo)線架(lead frame)上，接著通過金焊線將晶片上的導(dǎo)電墊電性連接至導(dǎo)線架的接合墊，以形成晶片的外部電性連接的路徑。

然而，由于使用金焊線及導(dǎo)線架作為外部電性連接的路徑，成本較高，且使得晶片封裝體的整體尺寸增加，因此難以進(jìn)一步縮小晶片封裝體的尺寸。

因此，有必要尋求一種新穎的晶片封裝體及其制造方法，其能夠解決或改善上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種晶片封裝體，包括：一第一基底，其中多個第一導(dǎo)電墊設(shè)置于第一基底的一第一側(cè)上；一第二基底，貼附于相對于第一基底的第一側(cè)的一第二側(cè)上，其中第二基底具有一微電子元件，且具有對應(yīng)第一導(dǎo)電墊的多個第二導(dǎo)電墊，所述第二導(dǎo)電墊設(shè)置于第二基底的一第一側(cè)上，且位于第一基底與第二基底之間；一重布線層，設(shè)置于相對于第二基底的第一側(cè)的一第二側(cè)上，且穿過第二基底、第二導(dǎo)電墊及第一基底而延伸至第一導(dǎo)電墊內(nèi)，以與第一導(dǎo)電墊及第二導(dǎo)電墊電性連接。

本發(fā)明實施例提供一種晶片封裝體的制造方法，包括：提供一第一基底，其中多個第一導(dǎo)電墊設(shè)置于第一基底的一第一側(cè)上；將一第二基底貼附于相對于第一基底的第一側(cè)的一第二側(cè)上，其中第二基底具有一微電子元件，且具有對應(yīng)第一導(dǎo)電墊的多個第二導(dǎo)電墊，所述第二導(dǎo)電墊設(shè)置于第二基底的一第一側(cè)上，且位于第一基底與第二基底之間；在相對于第二基底的第一側(cè)的一第二側(cè)上形成一重布線層，其中重布線層穿過第二基底、第二導(dǎo)電墊及第一基底而延伸至第一導(dǎo)電墊內(nèi)，以與第一導(dǎo)電墊及第二導(dǎo)電墊電性連接。

本發(fā)明通過重布線層進(jìn)行電性連接而不需使用焊線，縮小了晶片封裝體的尺寸，降低了成本。

附圖說明

圖1A至1G繪示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。

圖2A至2G繪示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的晶片封裝體的制造方法的剖面示意圖。

其中，附圖中符號的簡單說明如下：

100、600：第一基底；100a、300a、600a：第一側(cè)；100b、300b、600b：第二側(cè)；120、320、620：介電層；140、340、640：導(dǎo)電墊；180、380、420、465、680：開口；200：第三基底；220：第一層；250、650：光學(xué)部件；260：第二層/圍堰；265：空腔；280：蓋板；300：第二基底；360：粘著層；310：電子元件區(qū)；400、460：絕緣層；440：重布線層；480：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；500、700：晶片封裝體；SC：切割道。

具體實施方式

以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定形式實施。文中所舉例討論的特定實施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。