[發(fā)明專利]晶片封裝體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410705224.2
• 申請日: 2014-11-27
• 公開（公告）號: CN104681516B
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉建宏;溫英男
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L21/60;H01L27/146
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一第一基底，其中多個第一導(dǎo)電墊設(shè)置于該第一基底的一第一側(cè)上；

一影像感測裝置，設(shè)置于該第一基底的該第一側(cè)上，且該影像感測裝置與所述第一導(dǎo)電墊電性連接；

一第二基底，貼附于相對于該第一基底的該第一側(cè)的一第二側(cè)上，其中該第二基底具有一數(shù)字信號處理元件，且具有對應(yīng)于所述第一導(dǎo)電墊的多個第二導(dǎo)電墊，所述第二導(dǎo)電墊設(shè)置于該第二基底的一第一側(cè)上，且位于該第一基底與該第二基底之間，該數(shù)字信號處理元件與所述第二導(dǎo)電墊電性連接，該第二基底還具有對應(yīng)于所述第二導(dǎo)電墊的其中之一的一第一開口；

一第二開口，經(jīng)由該第一開口而穿過該第二基底、所述第二導(dǎo)電墊及該第一基底，且具有小于該第一開口的寬度；以及

一重布線層，設(shè)置于相對于該第二基底的該第一側(cè)的一第二側(cè)上，且延伸至該第二開口內(nèi)，并穿過該第二基底、所述第二導(dǎo)電墊、該第一基底及所述第一導(dǎo)電墊，以與所述第一導(dǎo)電墊及所述第二導(dǎo)電墊電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一基底為一空白晶圓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

一粘著層，將該第二基底貼附于該第一基底；以及

一絕緣層，設(shè)置于該第二基底的該第二側(cè)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該重布線層穿過該粘著層及該絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層，該間隔層設(shè)置于該第一基底的該第一側(cè)上，其中該重布線層還延伸進入該間隔層內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一絕緣層，該絕緣層設(shè)置于該第二基底的該第二側(cè)上，以覆蓋該重布線層，其中該絕緣層穿過該第二基底、所述第二導(dǎo)電墊及該第一基底而延伸至所述第一導(dǎo)電墊內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該絕緣層還延伸穿過所述第一導(dǎo)電墊。

8.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底，其中多個第一導(dǎo)電墊設(shè)置于該第一基底的一第一側(cè)上；

在該第一基底的該第一側(cè)上設(shè)置一影像感測裝置，且該影像感測裝置與所述第一導(dǎo)電墊電性連接；

將一第二基底貼附于相對于該第一基底的該第一側(cè)的一第二側(cè)上，其中該第二基底具有一數(shù)字信號處理元件，且具有對應(yīng)于所述第一導(dǎo)電墊的多個第二導(dǎo)電墊，所述第二導(dǎo)電墊設(shè)置于該第二基底的一第一側(cè)上，且位于該第一基底與該第二基底之間，該數(shù)字信號處理元件與所述第二導(dǎo)電墊電性連接；

形成穿過該第二基底的一第一開口，該第一開口對應(yīng)于所述第二導(dǎo)電墊的其中之一；

形成經(jīng)由所述第一開口而穿過該第二基底、所述第二導(dǎo)電墊及該第一基底的一第二開口，該第二開口具有小于該第一開口的寬度；以及

在相對于該第二基底的該第一側(cè)的一第二側(cè)上形成一重布線層，其中該重布線層延伸至所述第二開口內(nèi)，并穿過該第二基底、所述第二導(dǎo)電墊、該第一基底及所述第一導(dǎo)電墊，以與所述第一導(dǎo)電墊及所述第二導(dǎo)電墊電性連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第一基底為一空白晶圓。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，通過一粘著層將該第二基底貼附于該第一基底。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括：

在形成該重布線層之前，在該第二基底的該第二側(cè)上形成一絕緣層，

其中，該第二開口穿過該絕緣層及該粘著層。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，通過激光鉆孔制程形成該第二開口。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該第一基底的該第一側(cè)上形成一間隔層，其中該重布線層還延伸進入該間隔層內(nèi)。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該第二基底的該第二側(cè)上形成一絕緣層，以覆蓋該重布線層，其中該絕緣層穿過該第二基底、所述第二導(dǎo)電墊及該第一基底而延伸至所述第一導(dǎo)電墊內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該絕緣層還延伸穿過所述第一導(dǎo)電墊。