[發明專利]反應腔室的上蓋結構和反應腔室有效
| 申請號: | 201410705206.4 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN105702599B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 張偉濤 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鉤持部 掛鉤 開蓋 蓋板 反應腔室 上表面 上蓋結構 下表面 隔板 銅連接條 逐漸降低 空行程 上升時 線圈盒 錯開 對正 貼合 匹配 脫離 移動 | ||
本發明提供一種反應腔室的上蓋結構,包括線圈盒、隔板、蓋板、多個開蓋掛鉤和與多個開蓋掛鉤一一對應的蓋板掛鉤,所述開蓋掛鉤在對正位時與所述蓋板掛鉤對正,在脫離位時與所述蓋板掛鉤相錯開,所述開蓋掛鉤包括第一鉤持部,所述蓋板掛鉤包括第二鉤持部,所述第一鉤持部的上表面的高度沿該第一鉤持部的上表面的一端至另一端的方向逐漸降低,所述第二鉤持部的下表面與所述第一鉤持部的上表面相匹配,以使得位于對正位時的開蓋掛鉤的第一鉤持部的上表面與所述第二鉤持部的下表面相貼合。本發明還提供一種反應腔室。與現有技術相比,本發明中的上蓋結構上升時,開蓋掛鉤不需要移動一段空行程,因而可以減少銅連接條受到的拉力。
技術領域
本發明涉及半導體加工技術領域,具體涉及一種反應腔室的上蓋結構和包括該上蓋結構的反應腔室。
背景技術
通常,用于刻蝕反應的反應腔室包括腔體15、上電極和下電極。如圖1所示的反應腔室的上蓋結構的示意圖,上電極11設置在線圈盒12上部的電極子腔121中,通過銅連接條13與線圈支架14以及蓋板18相連。通常反應腔室的兩種維護需求有:對腔體內的空間進行維護;對上蓋結構中的線圈、噴嘴等結構維護。
蓋板18可以在蓋板掛鉤17和開蓋掛鉤16的帶動下上升,開蓋掛鉤16和蓋板掛鉤17的結構如圖2所示,對腔體內的空間進行維護時,開蓋掛鉤16位于對正位(如圖3所示),驅動立柱19帶動線圈盒12和開蓋掛鉤16升起,從而帶動蓋板掛鉤17以及蓋板18升起;對上蓋中的線圈等結構進行維護時,將開蓋掛鉤16沿圖4中箭頭所示的方向移動至脫離位(如圖4所示),且將銅連接條13與上電極11之間的連接斷開,此時,線圈盒12的上升不會帶動蓋板18。
由圖3和圖4可以看出,在開蓋掛鉤16帶動蓋板掛鉤17上升之前,開蓋掛鉤16與蓋板掛鉤17之間存在一定的高度差H,該高度差H的存在有一定的必要性:首先開蓋掛鉤16上的掛鉤銷161具有一定的高度;其次,為了使得開蓋掛鉤16與蓋板掛鉤17活動靈活;再次,腔體內抽真空后會使得蓋板掛鉤17下降,該高度差H便于脫離位的開蓋掛鉤16移動至對正位。但是該高度差H至少會產生以下問題:
一方面,線圈盒12和開蓋掛鉤16開始上升,且開蓋掛鉤16未接觸到蓋板掛鉤17時,蓋板18并未移動導致上電極11與蓋板之間的銅連接條13發生形變,容易損壞;若在線圈盒12上升之前將銅連接條13與上電極11之間的連接斷開,將增加工作量;
另一方面,由于蓋板18較重,因此開蓋掛鉤16上升這段空行程H后,接觸到蓋板掛鉤17時會產生一定高度沖擊力。
發明內容
本發明的目的在于提供一種反應腔室的上蓋結構以及包括該上蓋結構的反應腔室,以減少位于對正位的開蓋掛鉤帶動蓋板掛鉤時產生的沖擊力。
為了實現上述目的,本發明提供一種反應腔室的上蓋結構,包括線圈盒、隔板、蓋板、多個開蓋掛鉤和與多個開蓋掛鉤一一對應的蓋板掛鉤,所述隔板設置在所述線圈盒內,所述開蓋掛鉤與所述隔板相連,所述蓋板設置在所述隔板下方,多個所述蓋板掛鉤環繞所述蓋板設置,所述開蓋掛鉤能夠從脫離位繞所述上蓋結構的縱向軸線旋轉至對正位,所述開蓋掛鉤在對正位時與所述蓋板掛鉤對正,在脫離位時與所述蓋板掛鉤相錯開,
其中,所述開蓋掛鉤包括第一鉤持部,所述蓋板掛鉤包括第二鉤持部,所述第一鉤持部的上表面的高度沿該第一鉤持部的上表面的一端至另一端的方向逐漸降低,所述第二鉤持部的下表面與所述第一鉤持部的上表面相匹配,以使得位于對正位時的開蓋掛鉤的第一鉤持部的上表面與所述第二鉤持部的下表面相貼合。
優選地,所述第一鉤持部的上表面為斜平面,所述第二鉤持部的下表面為與第一鉤持部的上表面相對應的斜平面。
優選地,所述第一鉤持部的上表面的斜度滿足以下關系:
L/D<μ;
其中,L為位于脫離位時的開蓋掛鉤的第一鉤持部的上表面與所述第二鉤持部的下表面的高度差;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





