[發明專利]一種螺旋電極太陽能組件生產方法

在審

• 申請號: 201410704449.6
• 申請日: 2014-11-28
• 公開（公告）號: CN105633209A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發明（設計）人: 李向清
• 申請（專利權）人: 江蘇愛多光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種螺旋電極太陽能組件生產方法。

背景技術

眾所周知，現有的光伏組件在絲印工藝中將電極印刷到單片的兩面，這樣的電極設置無論電極柵線做的如何細都會阻擋部分太陽光的入射；同時單片表面未設置減反射組件，不利于提高太陽光的透射率。現有技術急需一種能夠提高太陽光透射率的螺旋電極太陽能組件生產方法。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術中存在的缺陷，提供一種能夠提高太陽光透射率的螺旋電極太陽能組件生產方法。

為實現上述目的，本發明的技術方案是提供了一種螺旋電極太陽能組件生產方法，其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試，光伏電池片正、負極的焊接，疊層，光伏電池組片檢測，層壓固化，組框的工藝過程；單片上設有的正電極和負電極，所述正電極和負電極從單片的中心向外部旋繞形成阿基米德螺線；所述正電極和負電極間隔設置在單片的一面上；所述正電極和負電極之間設有隔離帶；所述正電極和負電極的寬度為0.05~0.1mm；單片表面設有氮化硅減反射薄膜。

作為優選地，將單片設置在石墨板上,先在加熱的腔室內將硅片加熱,在PECVD反應腔室內緩慢通入SIH₄、NH₃和N₂,利用輝光放電產生等離子體,反應腔室的SIH₄、NH₃和N₂相互作用在硅片表面形成氮化硅減反射薄膜。

本發明的優點和有益效果在于：通過本發明所述的工藝可以提高太陽光透射率。

具體實施方式

下面結合實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此來限制本發明的保護范圍。

一種螺旋電極太陽能組件生產方法，其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試，光伏電池片正、負極的焊接，疊層，光伏電池組片檢測，層壓固化，組框的工藝過程。

單片上設有的正電極和負電極，所述正電極和負電極從單片的中心向外部旋繞形成阿基米德螺線；所述正電極和負電極間隔設置在單片的一面上；所述正電極和負電極之間設有隔離帶；所述正電極和負電極的寬度為0.05~0.1mm；單片表面設有氮化硅減反射薄膜。

將單片設置在石墨板上,先在加熱的腔室內將硅片加熱,在PECVD反應腔室內緩慢通入SIH₄、NH₃和N₂,利用輝光放電產生等離子體,反應腔室的SIH₄、NH₃和N₂相互作用在硅片表面形成氮化硅減反射薄膜。

上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為發明的保護范圍。