[發明專利]一種螺旋電極太陽能組件生產方法在審
| 申請號: | 201410704449.6 | 申請日: | 2014-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN105633209A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發明(設計)人: | 李向清 | 申請(專利權)人: | 江蘇愛多光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214423 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 螺旋 電極 太陽能 組件 生產 方法 | ||
1.一種螺旋電極太陽能組件生產方法,其特征在于:其工藝包括清洗、摻雜、印刷、燒結、單片測試,光伏電池片正、負極的焊接,疊層,光伏電池組片檢測,層壓固化,組框的工藝過程;單片上設有的正電極和負電極,所述正電極和負電極從單片的中心向外部旋繞形成阿基米德螺線;所述正電極和負電極間隔設置在單片的一面上;所述正電極和負電極之間設有隔離帶;所述正電極和負電極的寬度為0.05~0.1mm;單片表面設有氮化硅減反射薄膜。
2.根據權利要求1所述的螺旋電極太陽能組件生產方法,其特征在于:將單片設置在石墨板上,先在加熱的腔室內將硅片加熱,在PECVD反應腔室內緩慢通入SIH4、NH3和N2,利用輝光放電產生等離子體,反應腔室的SIH4、NH3和N2相互作用在硅片表面形成氮化硅減反射薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





