[發(fā)明專利]晶圓的良率判斷方法以及晶圓合格測(cè)試的多變量檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410704340.2
• 申請(qǐng)日: 2014-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN105702595B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱智揚(yáng);詹凱茹;王憲盟;郭年益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種晶圓的良率判斷方法以及晶圓合格測(cè)試的多變量檢測(cè)方法。良率判斷方法包括：對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行晶圓合格測(cè)試，以產(chǎn)生多個(gè)特性參數(shù)；依據(jù)相關(guān)性列表對(duì)這些特性參數(shù)進(jìn)行分群，以形成多組特性參數(shù)群組；以多變量分析來計(jì)算每組特性參數(shù)群組中這些特性參數(shù)的其中之一或其組合所對(duì)應(yīng)的分析數(shù)值，且判斷所述分析數(shù)值是否大于這些特性參數(shù)的其中之一或其組合所對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)規(guī)格信息，以將大于所述預(yù)設(shè)規(guī)格信息的分析數(shù)值所對(duì)應(yīng)的這些特性參數(shù)的其中之一或其組合作為至少一超出規(guī)格特性參數(shù)；以及，依據(jù)超出規(guī)格特性參數(shù)來判斷待測(cè)晶圓的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種晶圓的檢驗(yàn)技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種利用晶圓合格測(cè)試(Wafer acceptance test，簡(jiǎn)稱WAT)來進(jìn)行晶圓的良率判斷方法以及晶圓合格測(cè)試的多變量(Multiple variable)檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制作過程中，通常會(huì)使用晶圓合格測(cè)試(WAT)來對(duì)晶圓進(jìn)行電性檢測(cè)。WAT會(huì)產(chǎn)生許多的電性參數(shù)及數(shù)值，使用者可通過這些電性參數(shù)及數(shù)值來評(píng)估受測(cè)晶圓的良率好壞，以及發(fā)現(xiàn)在半導(dǎo)體制作過程中可能發(fā)生的問題。若能即早發(fā)現(xiàn)異常的WAT參數(shù)，可對(duì)于晶圓制造的決策擬定、評(píng)估晶圓是否需要報(bào)廢、是否出貨給客戶等方面皆有決定性的影響。

以目前技術(shù)而言，通過WAT所產(chǎn)生的電性參數(shù)及數(shù)值是通過晶圓的研究人員以人工方式來進(jìn)行檢驗(yàn)，以從這些電性參數(shù)中發(fā)掘出問題。例如，晶圓合格測(cè)試系統(tǒng)可以自動(dòng)產(chǎn)生WAT參數(shù)列表，研究人員逐一檢測(cè)這些WAT參數(shù)是否超出預(yù)設(shè)范圍(Out ofspecification，簡(jiǎn)稱OOS)。若WAT參數(shù)已超出預(yù)設(shè)范圍時(shí)，研究人員則會(huì)檢測(cè)這些超出預(yù)設(shè)范圍的WAT參數(shù)是否影響到晶圓的良率，再依照WAT參數(shù)對(duì)于晶圓良率的影響嚴(yán)重程度來評(píng)估此晶圓是否需要報(bào)廢。

然而，WAT參數(shù)的種類十分繁雜，可能達(dá)到三百多種，若以人工方式在WAT參數(shù)中找出問題實(shí)為不易。另一方面，不同的WAT參數(shù)之間可能互有相關(guān)；當(dāng)某一參數(shù)超出預(yù)設(shè)范圍時(shí)，其他與此參數(shù)相關(guān)的其他參數(shù)也可能會(huì)超出預(yù)設(shè)范圍，但這種相關(guān)性難以輕易地通過人力確認(rèn)。因此，若以人工方式對(duì)WAT參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)，則會(huì)花費(fèi)相當(dāng)多人力以及寶貴的時(shí)間。因此，需要尋求如何迅速檢測(cè)WAT參數(shù)且能大幅節(jié)省人力成本的晶圓良率檢測(cè)及測(cè)試技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種晶圓的良率判斷方法以及晶圓合格測(cè)試的多變量檢測(cè)方法。此良率判斷方法利用多變量制作過程控制(Multivariate statistical processcontrol，簡(jiǎn)稱MSPC)以及硬件設(shè)備的輔助以列出超出預(yù)設(shè)范圍的WAT特性參數(shù)，來減少研發(fā)人員對(duì)于WAT特性參數(shù)的檢測(cè)時(shí)間，并可節(jié)省在判斷待測(cè)晶圓的良率的測(cè)試成本。

本發(fā)明提出一種晶圓的良率判斷方法，其包括下列步驟。對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行晶圓合格測(cè)試，以產(chǎn)生多個(gè)特性參數(shù)。依據(jù)一相關(guān)性列表對(duì)該些特性參數(shù)進(jìn)行分群，以形成多組特性參數(shù)群組。以多變量分析來計(jì)算每組特性參數(shù)群組中這些特性參數(shù)的其中之一或其組合所對(duì)應(yīng)的分析數(shù)值，判斷此分析數(shù)值是否大于這些特性參數(shù)的其中之一或其組合所對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)規(guī)格信息，以將大于所述預(yù)設(shè)規(guī)格信息的分析數(shù)值所對(duì)應(yīng)的這些特性參數(shù)的其中之一或其組合作為至少一個(gè)超出規(guī)格特性參數(shù)。以及，依據(jù)此至少一超出規(guī)格特性參數(shù)來判斷此待測(cè)晶圓的良率。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的良率判斷方法還包括下列步驟。統(tǒng)計(jì)多個(gè)不同晶圓在進(jìn)行所述晶圓合格測(cè)試后所產(chǎn)生的特性參數(shù)，以分析這些特性參數(shù)是否具有相關(guān)性。以及，依據(jù)具有相關(guān)性的多個(gè)相關(guān)特性參數(shù)來產(chǎn)生此相關(guān)性列表。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的良率判斷方法還包括下列步驟。記錄這些特性參數(shù)中具有相關(guān)性的多個(gè)相關(guān)特性參數(shù)，以形成此相關(guān)性列表。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的多變量分析以霍德林T平方統(tǒng)計(jì)(Hotelling's T-squared statistic)來依序計(jì)算每組特性參數(shù)群組中這些特性參數(shù)的其中之一或其組合。