[發明專利]晶圓的良率判斷方法以及晶圓合格測試的多變量檢測方法有效
| 申請號: | 201410704340.2 | 申請日: | 2014-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN105702595B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 邱智揚;詹凱茹;王憲盟;郭年益 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 判斷 方法 以及 合格 測試 多變 檢測 | ||
1.一種晶圓的良率判斷方法,其特征在于,包括:
對待測晶圓進行晶圓合格測試,以產生多個特性參數;
依據相關性列表對該些特性參數進行分群,以形成多組特性參數群組;
以多變量分析來計算每組特性參數群組中該些特性參數的其中之一或其組合所對應的分析數值,判斷該分析數值是否大于該些特性參數的其中之一或其組合所對應的預設規格信息,以將大于該預設規格信息的該分析數值所對應的該些特性參數的其中之一或其組合作為至少一超出規格特性參數;以及
依據該至少一超出規格特性參數來判斷該待測晶圓的良率。
2.根據權利要求1所述的晶圓的良率判斷方法,其特征在于,還包括:
統計多個不同晶圓在進行該晶圓合格測試后所產生的該些特性參數,以分析該些特性參數是否具有相關性;以及
依據具有該相關性的多個相關特性參數來產生該相關性列表。
3.根據權利要求1所述的晶圓的良率判斷方法,其特征在于,還包括:
記錄該些特性參數中具有相關性的多個相關特性參數,以形成該相關性列表。
4.根據權利要求1所述的晶圓的良率判斷方法,其特征在于,該多變量分析以霍德林T平方統計來依序計算每組特性參數群組中該些特性參數的其中之一或其組合。
5.根據權利要求4所述的晶圓的良率判斷方法,其特征在于,計算每組特性參數群組中該些特性參數的其中之一或其組合所對應的該分析數值包括下列步驟:
依序設定每組特性參數群組中該些特性參數中的N個做為被選定變量,以計算每組特性參數群組中的各個N維T平方統計數值;
判斷各個N維T平方統計數值是否大于對應的該預設規格信息,其中N為正整數。
6.根據權利要求1所述的晶圓的良率判斷方法,其特征在于,依據該至少一超出規格特性參數來判斷該待測晶圓的良率包括下列步驟:
將該至少一超出規格特性參數條列為超出規則參數列表,以供使用者判斷該待測晶圓是否異常。
7.一種晶圓合格測試的多變量檢測方法,適用于晶圓合格測試系統中,其特征在于,該多變量判斷方法包括:
獲得待測晶圓在進行晶圓合格測試后所產生的多個特性參數;
依據相關性列表對該些特性參數進行分群,以形成多組特性參數群組;
以多變量分析來計算每組特性參數群組中該些特性參數的其中之一或其組合所對應的分析數值,判斷該分析數值是否大于該些特性參數的其中之一或其組合所對應的預設規格信息,以將大于該預設規格信息的該分析數值所對應的該些特性參數的其中之一或其組合作為至少一超出規格特性參數;以及
依據該至少一超出規格特性參數來檢測該待測晶圓是否合格。
8.根據權利要求7所述的多變量檢測方法,其特征在于,還包括:
統計多個不同晶圓在進行該晶圓合格測試后所產生的該些特性參數,以分析該些特性參數是否具有相關性;以及
依據具有該相關性的多個相關特性參數來產生該相關性列表。
9.根據權利要求7所述的多變量檢測方法,其特征在于,還包括:
記錄該些特性參數中具有相關性的多個相關特性參數,以形成該相關性列表。
10.根據權利要求7所述的多變量檢測方法,其特征在于,該多變量分析以一霍德林T平方統計來依序計算每組特性參數群組中該些特性參數的其中之一或其組合。
11.根據權利要求10所述的多變量檢測方法,其特征在于,計算每組特性參數群組中該些特性參數的其中之一或其組合所對應的該分析數值包括下列步驟:
依序設定每組特性參數群組中該些特性參數中的N個做為變量,以計算每組特性參數群組中的各個N維T平方統計數值是否大于對應的該預設規格信息,其中N為正整數。
12.根據權利要求7所述的多變量檢測方法,其特征在于,依據該至少一超出規格特性參數來判斷該待測晶圓的良率包括下列步驟:
將該至少一超出規格特性參數條列為超出規則參數列表,以供使用者依據其使用者經驗來判斷該待測晶圓是否合格。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





