[發(fā)明專利]太陽能電池芯片、采用該芯片的太陽能電池模組以及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410703306.3 | 申請日: | 2014-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN104393065A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 熊偉平;林桂江;劉冠洲;李明陽;楊美佳;吳超瑜;王篤祥 | 申請(專利權)人: | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
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| 地址: | 300384 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 芯片 采用 模組 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及應用于超薄聚光太陽能電池模組的太陽能電池芯片,屬半導體光電子器件與技術領域。
背景技術
聚光太陽能電池被稱為第三代光伏電池,其采用高效率、熱穩(wěn)定性好的多結化合物太陽電池,并通過聚光透鏡將太陽光聚集到電池芯片上,從而大幅減少電池芯片的使用量,而采用低成本的透鏡來替代。然而,由于現(xiàn)有太陽電池由于芯片尺寸較大,相應的單個透鏡尺寸也就較大,因此透鏡的焦距較長,必須將電池模組制作的很厚,如對應一顆1×1cm2電池芯片,1000倍聚光則要求透鏡尺寸為33×33cm2,則其最小焦距將達到50cm左右。較長的透鏡焦距要求將電池模組制作推得很厚,一方面增加了模組殼體用材的耗量,一方面使得模組體積大、重量大,不利于制作、運輸及安裝,這都將增加成本。因此,制作超薄化的電池模組是降低發(fā)電成本的必然趨勢。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種太陽能電池芯片、應用該芯片的超薄聚光太陽能電池模組及其制作方法,其中電池芯片直接倒裝焊接至聚光透鏡下表面,實現(xiàn)聚光型太陽能電池模組的超薄化,并省去了電池芯片的封裝及其支撐基板,大幅降低發(fā)電成本。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面,太陽能電池芯片,包括:太陽能電池外延結構,具有正、背兩個相對的表面,其中正面具有電極區(qū)和光接受區(qū);正面電極,位于所述太陽能電池外延結構正面的電極區(qū);背面電極,位于所述太陽能電池外延結構的背面,并延伸至所述太陽能電池外延結構外,通過一金屬焊盤引至正面;支撐基板,位于所述背面電極的下方,并通過一第一粘接層與所述太陽能電池外延結構粘接;第二粘接層,位于所述太陽能電池外延結構正面的光接受區(qū),其上表面高于所述正面電極及背面電極的金屬焊盤。
具體的,所述太陽能電池芯片通過襯底剝離、鍵合等技術手段將電池外延結構從生長襯底上轉移至支撐基板獲得;所述支撐基板為臨時基板,將太陽能電池芯片焊接至聚光透鏡后將被去除,優(yōu)選地,支撐基板選用玻璃;所述第一粘接層用于臨時粘接支撐基板與電池芯片,可以采用化學腐蝕、熱分解、紫外光分解等方式去除,優(yōu)選地,選擇低熔點封接玻璃、BCB、硅樹脂等;所述第二粘接層為永久粘接,優(yōu)選地采用低熔點透明玻璃漿料燒結固化。
優(yōu)選地,所述背面電極的金屬焊盤上表面與正面電極上表面處于同一水平面。
優(yōu)選地,所述第二粘接層的上表面高于所述正面電極及背面電極的金屬焊盤,其高低差10~50微米。
優(yōu)選地,所述第二粘接層邊緣與正面電極及背面電極金屬焊盤具有間隙,其間隙為50~100微米。
優(yōu)選地,所述第二粘接層的厚度為10~20微米。
根據(jù)本發(fā)明的第二個方面,聚光太陽能電池模組,包括聚光透鏡和太陽能電池芯片,其中所述聚光透鏡的下表面設有電路,至少包括正、負電極外接焊盤,所述太陽能電池芯片包含:太陽能電池外延結構,具有正、背兩個相對的表面,其中正面具有電極區(qū)和光接受區(qū),正面電極,位于所述太陽能電池外延結構正面的電極區(qū),與所述聚光透鏡下表面的正電極外接焊盤連接;背面電極,位于所述太陽能電池外延結構的背面,并延伸至所述太陽能電池外延結構外,通過一金屬焊盤引至正面,與所述聚光透鏡下表面的負電極外接焊盤連接;第二粘接層,位于所述太陽能電池外延結構正面的光接受區(qū),其上表面高于所述正面電極及背面電極的金屬焊盤,粘接所述聚光透鏡和太陽能電池芯片。
優(yōu)選地,所述第二粘接層填充所述太陽能電池芯片與聚光透鏡之間的間隙,并確保所述太陽能電池芯片的正、負電極與聚光透鏡上的電路實現(xiàn)電連接。
根據(jù)本發(fā)明的第三個方面,聚光太陽能電池模組的制作方法,包括步驟:1)提供本發(fā)明第一個方面所述任一種太陽能電池芯片;2)提供一聚光透鏡,其下表面設有至少包括正、負電極外接焊盤的電路;3)將所述太陽能電池芯片倒裝粘接至所述聚光透鏡的下表面,其中所述第二粘接層實現(xiàn)粘接所述電池芯片和聚光透鏡,所述電池芯片的正、背面電極分別與所述聚光透鏡的正、負電極外接焊盤連接;4)去除支撐基板和第一粘接層。
優(yōu)選地,所述步驟1)中第二粘接層采用低熔點透明玻璃漿料燒結固化,其熔點為320-400℃。
優(yōu)選地,所述步驟3)中電池芯片通過熱壓焊接至所述聚光透鏡,所述第二粘接層在焊接過程中熔化為液態(tài),在一定壓力下填充電池芯片與聚光透鏡之間的間隙,并確保正負電極與聚光透鏡上預設的電路實現(xiàn)電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





