[發明專利]一種低溫漂CMOS帶隙基準源電路在審
| 申請號： | 201410698360.3 | 申請日： | 2014-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN104375552A | 公開（公告）日： | 2015-02-25 |
| 發明（設計）人： | 李弦 | 申請（專利權）人： | 深圳市芯海科技有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳市凱達知識產權事務所 44256 | 代理人： | 劉大彎 |
| 地址： | 518067 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 cmos 基準 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種低溫漂CMOS帶隙基準源電路，該電路包含電阻R1A/R1B，三極管Q1/Q2，運放OP1，其特征在于所述電路還包括有電阻Rcp/Rb、NMOS管電流鏡、PMOS管電流鏡，及補償電流產生電路；其中，Rb并接于三極管Q1的基極，電阻Rb接于NMOS管電流鏡、PMOS管電流鏡之間，并連接于運放OP1；補償電流產生電路則接于PMOS管電流鏡。
2.如權利要求1所述的低溫漂CMOS帶隙基準源電路，其特征在于所述三極管Q1/Q2兩者面積之比A_Q2:A_Q1＝1。
3.如權利要求1所述的低溫漂CMOS帶隙基準源電路，其特征在于所述NMOS管電流鏡，包括有Mn1/Mn2兩個電流鏡，所述Mn1/Mn2兩個電流鏡串接于電阻Rcp。
4.如權利要求1所述的低溫漂CMOS帶隙基準源電路，其特征在于所述PMOS管電流鏡，包括有Mp1/Mp2/Mp3三個電流鏡，且所述Mp1/Mp2/Mp3三個電流鏡串聯在一起，Mp1接補償電流產生電路，Mp3則接電阻Rcp。
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