[發明專利]嵌入式鍺硅器件的制作方法在審
| 申請號： | 201410697457.2 | 申請日： | 2014-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN104392930A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發明（設計）人： | 鮑宇 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 嵌入式 器件 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種嵌入式鍺硅器件的制作方法，其特征在于，包括：
在一半導體襯底上依次形成柵極介電層、柵極以及圍繞在柵極和柵極介電層的兩側的側墻；
以所述柵極和側墻為掩膜，刻蝕所述半導體襯底的源/漏區以形成凹槽；
在所述凹槽中外延生長第一鍺硅層，所述第一鍺硅層至少覆蓋在所述凹槽靠近側墻的側壁上；
對所述第一鍺硅層進行高溫氧化處理以調節第一鍺硅層與柵極下方邊緣的距離，并去除高溫氧化處理過程中第一鍺硅層上形成的氧化層；
繼續在所述凹槽中外延生長第二鍺硅層。
2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝形成所述凹槽。
3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述側墻的寬度大于
4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延生長第一鍺硅層的厚度大于
5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延生長第一鍺硅層的鍺的濃度大于10％。
6.如權利要求1或5所述的制作方法，其特征在于，所述外延生長第一鍺硅層的鍺的濃度大于25％。
7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高溫氧化處理的溫度高于500℃。
8.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述高溫氧化處理的溫度為600℃～1000℃。
9.如權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于
10.如權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽的深度為
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
