[發明專利]一種缺陷檢測方法

有效

• 申請號: 201410697386.6
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104465441B
• 公開（公告）日: 2019-04-02
• 發明（設計）人: 郭賢權;姬峰;許向輝;陳超
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

本發明涉及缺陷檢測技術領域，尤其涉及一種缺陷檢測方法，本發明通過利用缺陷檢測設備獲取掃描機臺掃描待測芯片的掃描方式信息，并采用與該掃描方式信息一一對應的方式對待測芯片進行缺陷檢測，實現了缺陷檢測設備偵測方法可變且多重，從而解決了由于掃描機臺掃描方式不同造成缺陷檢測設備再偵測失敗的情況，大大提高了缺陷定位的準確性，提高了缺陷檢測的效率。

技術領域

本發明涉及缺陷檢測技術領域，尤其涉及一種缺陷檢測方法。

背景技術

先進的集成電路制造工藝一般都包含幾百步的工序，任何環節的微笑錯誤都會導致整個芯片的失效，特別是隨著電路關鍵尺寸的不斷縮小，其對工藝控制的要求越來越嚴格，所以在生產過程中為能及時的發現和解決問題，一般對產品進行在線缺陷檢測。

當今半導體業界線上進行缺陷檢測主要依靠各種掃描機臺進行掃描后，再通過目檢機臺將掃描得到的缺陷拍攝圖像。目前主要的目檢機臺有掃描電子顯微鏡和光學顯微鏡。在110納米線寬及以下的產品目檢中，掃描電子顯微鏡是主要的目檢工具，其定位缺陷的方法是：根據掃描機臺給予的缺陷坐標，擴大一定的范圍作為搜索區域，將此區域的圖像與鄰近芯片的相同坐標區域圖像作比較，差異超過閾值的點定義為缺陷位置，進行拍攝。此種方法只有在掃描機臺的掃描方式是D2D(芯片和鄰近芯片對比方式)時才能工作，掃描方式為鄰近芯片對比方式的結構示意圖如圖1a所示。若掃描方式采用陣列對比方式或者完美芯片對比方式，就會出現無法定位缺陷位置的情況，且若出現此種情況，在線操作人員很難分辨缺陷檢測設備缺陷再偵測失敗的原因，掃描方式為陣列對比方式的結構示意圖如圖1b所示，掃描方式為完美芯片方式的結構示意圖如圖1c所示。

中國專利(公開號：CN103604814A)公開了一種芯片缺陷的檢測方法，包括如下步驟：提供一芯片組和一光學檢測設備；設定第一焦距值，所述光學檢測設備采用所述第一焦距值對所述芯片組進行起始掃描，并將起始掃描結果存儲在數據庫中；設定第二焦距值，所述光學檢測設備采用所述第二焦距值對所述芯片組進行返回掃描，并將返回掃描結果存儲在數據庫中；疊加所述數據庫中的起始掃描結果和返回掃描結果，并將疊加后的掃描結果和芯片的正常掃描結果進行比對來確定缺陷的位置。采用該發明的芯片缺陷的檢測方法，提高了芯片缺陷檢測的精度，且操作簡單方便，從而提高了芯片缺陷檢測的效率。

中國專利(公開號：CN103646899A)公開了一種晶圓缺陷檢測方法，包括如下步驟：檢測晶圓上各芯片區的膜厚；根據各芯片區的膜厚分布信息將晶圓表面劃分為多個檢測區，每一檢測區包括至少一芯片區；為每一檢測區選用一確定波長的檢測光束，以使在各檢測光束投射下的、結構相同的芯片區灰度特征相近；以各檢測光束逐次投射于與其對應的檢測區中的每一芯片區，依據該芯片區的灰度特征檢測該芯片區的缺陷。其提高了對于膜厚分布不均勻的晶圓的適應性，且顯著提高了缺陷識別率，其精度高、實現成本低、利于在行業領域內推廣。

上述兩件專利雖然都公開了芯片缺陷的檢測方法，但其所采用的技術方案與本發明并不相同。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明公開一種缺陷檢測方法，以解決現有技術中在芯片缺陷檢測過程中，掃描機臺掃描方式的變換會導致無法定位缺陷位置的問題。

為了實現上述目的，本發明公開了以下技術方案：

一種缺陷檢測方法，其中，包括如下步驟：

提供待測芯片；

采用一掃描機臺對所述待測芯片進行缺陷掃描；

獲取所述掃描機臺掃描所述待測芯片的掃描方式信息；

根據所述掃描方式信息，對所述待測芯片進行缺陷檢測。

上述的缺陷檢測方法，其中，所述方法還包括：

利用缺陷檢測設備獲取所述掃描機臺掃描所述待測芯片的掃描方式信息；