[發(fā)明專利]一種缺陷檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410697386.6 | 申請日： | 2014-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN104465441B | 公開（公告）日： | 2019-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭賢權(quán);姬峰;許向輝;陳超 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人： | 吳俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 缺陷 檢測 方法 | ||
1.一種缺陷檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供待測芯片；
采用一掃描機臺對所述待測芯片進行缺陷掃描，獲取所述待測芯片上缺陷的坐標(biāo)；
獲取所述掃描機臺掃描所述待測芯片的掃描方式信息；
根據(jù)所述掃描方式信息，并根據(jù)獲取的所述待測芯片上缺陷的坐標(biāo)對所述待測芯片進行缺陷檢測；
所述方法還包括：
利用缺陷檢測設(shè)備獲取所述掃描機臺掃描所述待測芯片的掃描方式信息；
繼續(xù)利用所述缺陷檢測設(shè)備根據(jù)所述掃描方式信息，對所述待測芯片進行缺陷檢測；
利用所述缺陷檢測設(shè)備根據(jù)所述掃描方式信息，對所述待測芯片進行缺陷檢測的步驟為：
利用所述缺陷檢測設(shè)備采用與所述掃描方式信息一一對應(yīng)的方式對所述待測芯片進行缺陷檢測；
其中，所述掃描方式信息包括芯片與鄰近芯片對比方式、陣列對比方式和完美芯片對比方式中的一種或多種。
2.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述缺陷檢測設(shè)備為電子缺陷檢測設(shè)備或光學(xué)缺陷檢測設(shè)備。
3.如權(quán)利要求2所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述電子缺陷檢測設(shè)備為掃描電子顯微鏡。
4.如權(quán)利要求2所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述電子缺陷檢測設(shè)備為光學(xué)顯微鏡。
5.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于半導(dǎo)體線上進行缺陷檢測。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
