[發明專利]一種硅片冗余圖形填充方法及產品

在審

• 申請號: 201410693133.1
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104409445A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 闞歡;魏芳;朱駿;呂煜坤;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L27/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本發明屬于集成電路領域，尤其涉及集成電路制造工藝中的圖形填充方法。

背景技術

在集成電路制造工藝中，通常會在0.25微米以下的工藝需要化學機械研磨時或在刻蝕的層中，加入冗余圖形，以此提高化學機械研磨機刻蝕工藝的均一性。如圖1所示，現有技術中有效電路周圍的冗余填充圖形密度都是一樣的。但是，填充的冗余圖形，特別是距離器件較近或距離走線較近的冗余圖形會對器件或走線的電學性能會產生不利影響，從而降低產品良率，因此填充的冗余圖形數量應盡可能少，以減少其對電路性能的影響。然而，基于上述考慮的現有填充方法，存在芯片內的密度無法很好平衡的問題，使得芯片內的密度均一性變差，最終還是會影響化學機械研磨或硅片平坦化的均一性。

發明內容

本發明的技術目的之一在于提供一種硅片冗余圖形填充方法，以解決上述技術缺陷。該填充方法特征在于：

根據距離硅片上有效電路的距離遠近，將冗余圖形填充區域分成n個區；

設定n個冗余圖形填充區域的填充密度值，原則是，距離有效電路越近的區域填充密度值越小，距離有效電路越遠的區域填充密度值越大。

作為本發明的另一技術目的在于提供一種含有冗余圖形的硅片，包括硅片，有效電路及冗余圖形，其特征在于：根據距離所述有效電路的距離遠近，所述冗余圖形的填充區域被分為n個區，且距離所述有效電路越近的區域其冗余圖形填充密度越小，而距離所述有效電路越遠的區域其冗余同行填充密度越大。

本發明的有益效果是：通過對距離有效電路遠近不一的區域設定不同的填充密度值，不僅減小了冗余圖形對于有效電路的影響，而且還保證了芯片內密度的良好均一性。

附圖說明

圖1為現有技術填充布局示意圖

圖2為本發明的具體實施例之一的冗余圖形填充布局示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明作詳細描述。但需要指出的是，以下實施例僅是作為對本發明的說明性而非限制性描述，因此任何基于這些具體實施例的其他變異，變型，改進，替換，延伸均應落入本發明的保護范圍。

如圖2所示，在集成電路制造工藝中，在確定了硅片上有效電路的布局后(有效電路1和有效電路2)，可對周圍帶冗余填充的區域進行分區，在本實施例中，假定0.2um為設計規則中所允許的冗余圖形至有效電路的最小距離，根據距有效電路距離的遠近將冗余圖形填充區域劃分成3個區塊，這3個區塊至有效電路的距離分別為0.2um～3um、3um～10um和大于10um。再依次分別設定這3個區塊的填充密度目標為30％、40％和50％，圖中以不同密度的圖形表示。如圖，離有效電路最近的區塊設置為最低的填充密度，30％，最遠的區塊設置最高的密度，50％，中間的區塊填充密度設置為40％。這樣填充的效果在于，距離有效電路最近的填充區塊對電路的干擾將減小，且芯片內密度均一性增加。

當然，根據實際情況和具體要求，填充區塊可以被劃分成不同數量，不同形狀，按照不同方法密度遞增。比如為了更大地增加芯片內密度均一性，可將填充區塊分得更細。再比如，區塊的形狀可以根據有效電路的形狀和分布而改變，密度遞增可以使有規律地也可以是無規律地。各區塊的填充密度目標值可以為一系列給定常數，其值依據工藝需求設定。填充區域到有限電路的距離也可以為一系列給定常數，其值依據工藝需求設定,且應大于等于設計規則中所允許的冗余圖形至有效電路的最小距離。