[發(fā)明專利]一種硅片冗余圖形填充方法及產(chǎn)品

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410693133.1
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN104409445A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 闞歡;魏芳;朱駿;呂煜坤;張旭升
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L27/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種硅片冗余圖形填充方法，其特征在于包括：

根據(jù)距離硅片上有效電路的距離遠(yuǎn)近，將冗余圖形填充區(qū)域分成n個區(qū)；

設(shè)定n個冗余圖形填充區(qū)域的填充密度值，距離有效電路越近的區(qū)域填充密度值越小，距離有效電路越遠(yuǎn)的區(qū)域填充密度值越大。

2.如權(quán)利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述冗余圖形填充區(qū)域的大小，形狀及填充密度增加原則可根據(jù)具體要求而異。

3.如權(quán)利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述冗余圖形填充區(qū)域分成3個區(qū)，根據(jù)距有效電路的距離由近及遠(yuǎn)而分別是定填充密度值為30％,40％,50％。

4.一種含有冗余圖形的硅片，包括硅片，有效電路及冗余圖形，其特征在于：根據(jù)距離所述有效電路的距離遠(yuǎn)近，所述冗余圖形的填充區(qū)域被分為n個區(qū)，且距離所述有效電路越近的區(qū)域其冗余圖形填充密度越小，而距離所述有效電路越遠(yuǎn)的區(qū)域其冗余同行填充密度越大。

5.如權(quán)利要求4所述的硅片，其特征在于：所述冗余圖形填充區(qū)域的大小，形狀及密度增加原則可根據(jù)具體要求而異。

6.如權(quán)利要求4所述的硅片，其特征在于：所述冗余圖形填充區(qū)域分成3個區(qū)，根據(jù)距有效電路的距離由近及遠(yuǎn)而分別是定填充密度值為30％,40％,50％。

7.一種集成電路產(chǎn)品，其特征在于，在其中包含至少一塊權(quán)利要求4-6之一所述的硅片。

8.如權(quán)利要求7所述的集成電路產(chǎn)品，其特征在于：所述產(chǎn)品可以是智能手機(jī)或平板電腦。