[發明專利]一種負載傳輸裝置與方法有效
| 申請號: | 201410692428.7 | 申請日: | 2014-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN105702611B | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 馬悅;胡兵 | 申請(專利權)人: | 理想能源設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/687;H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黃海霞 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 負載 傳輸 裝置 方法 | ||
本發明提供了一種負載傳輸裝置,包括反應腔、傳輸腔、基板和機械手。上述反應腔內設置有基座;機械手位于傳輸腔中,機械手設置有支撐部,用于將所述基板在所述傳輸腔與所述反應腔之間傳輸。上述傳輸腔內設置有第一承載區、第二承載區和位于所述第一承載區、第二承載區之間的中間層區,上述的至少一個反應腔通過一傳輸門與傳輸腔連通或分隔。上述第一承載區設置有第一支架,第一承載區還包括第一放置軸、第一抓取軸與第一傳輸軸。上述第二承載區設置有第二支架,第二承載區還包括第二放置軸、第二抓取軸與第二傳輸軸。本發明的負載傳輸裝置工作尺寸較小,結構緊湊,有效解決現有技術中存在的占地面積大,維護時間長,生產效率低的問題。
技術領域
本發明屬于化學氣相沉積技術領域,涉及一種應用于化學氣相沉積過程中,用于傳輸產品或半產品的負載傳輸裝置及其負載傳輸方法。
背景技術
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)是反應物質在氣態條件下發生化學反應,生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面,進而制得固體材料的工藝技術,其通過化學氣相沉積裝置得以實現。其中,對通過化學氣相沉積技術制得的固體材料進行傳輸的裝置,是化學氣相沉積裝置中非常重要的一部分,因為它是關系到產品質量和生產效率的重要因素,也是降低企業生產成本的重要因素之一。
以下以現有技術中的金屬有機化學氣相沉積(Metal Oganic Chemical VaporDeposition,MOCVD)裝置為例進行說明。請參見圖1,現有技術中的MOCVD裝置10包括:傳輸腔12以及設置在所述傳輸腔周圍的加載/卸載腔13和反應腔14.所述MOCVD裝置中所述承載腔與所述反應腔相互分離或者直接連接。所述傳輸腔12內設置有機械手,通過所述機械手11將晶片(圖未示)從承載腔運送到所述反應腔14,待晶片在所述反應腔中加工完成后,再由所述機械手從所述反應腔中取出加工后的晶片。所述傳輸腔12與加載/卸載腔13設置有閥門。所述加載/卸載腔13為聯系傳輸腔和外界設備的中介設備。工作時,當所述晶片傳輸到所述加載/卸載腔中后,封閉所述加載/卸載腔,并將其抽成真空,再打開所述加載/卸載腔與所述傳輸腔之間的閥門,將所述晶片傳輸到所述傳輸腔,然后,再由所述機械手,將所述晶片傳輸到所述反應腔中。現有技術中的加載/卸載腔13和反應腔14設置在所述傳輸腔的周圍,因此,無法避免的是所述傳輸腔的占地面積十分大,而且體積也很大,在維護過程中,排氣的時間也特別長,影響生產效率。
因此,需要設計一種工作尺寸較小,結構緊湊的負載傳輸裝置,以此提高化學沉積設備的空間利用率,提高傳輸效率,減少企業對土地的使用量,降低企業生產成本。
發明內容
本發明的目的是提供一種工作尺寸較小,結構緊湊的負載傳輸裝置,有效解決現有技術中存在的占地面積大,維護時間長,生產效率低的問題。
為解決上述問題,本發明提供了一種負載傳輸裝置,包括:
反應腔,其中設置有基座;
基板,用以置于所述反應腔中的所述基座上,以進行處理;
機械手,位于傳輸腔中,所述機械手設置有支撐部,用于將所述基板在所述傳輸腔與所述反應腔之間傳輸;
傳輸腔,所述傳輸腔內設置有第一承載區、第二承載區和位于所述第一承載區、第二承載區之間的中間層區,所述的至少一個反應腔通過一傳輸門與所述傳輸腔連通或分隔;
所述第一承載區設置有第一支架,用以承載所述待處理或者處理后的基板;所述第一承載區包括第一放置軸、第一抓取軸與第一傳輸軸,所述第一放置軸、第一抓取軸與第一傳輸軸三者互相平行,所述第一傳輸軸或第一抓取軸與第一放置軸間垂直距離大于等于所述機械手負載基板在第一承載區伸展或收縮的最小距離,小于等于所述機械手負載基板在第一承載區伸展或收縮的最大距離;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





