[發明專利]一種低損耗、高電阻率Bi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷的制備方法有效
| 申請號： | 201410692344.3 | 申請日： | 2014-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN104402433B | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 蒲永平;劉雨雯 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C04B35/475 | 分類號： | C04B35/475;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 損耗 電阻率 bi sub ti 12 基無鉛 壓電 陶瓷 制備 方法 | ||
1.一種低損耗、高電阻率Bi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟(1)，將氧化鉍Bi2O3和二氧化鈦TiO2按照摩爾比為(2～3):(3～4)混合配料后得到粉體A，進行球磨；
步驟(2)，將步驟(1)中球磨后的粉體A進行干燥、研磨、壓塊后預燒，再次研磨得到Bi4Ti3O12粉體；預燒工藝為：在馬弗爐中，首先由室溫升溫至400℃，保溫10min；然后由400℃升溫至800～850℃，保溫2～3h；再由800～850℃降溫至400℃；最后隨爐冷卻至室溫；
步驟(3)，在步驟(2)得到的Bi4Ti3O12粉體中加入Fe2O3混合均勻得到粉體B，其中Bi4Ti3O12和Fe2O3的摩爾比為1：(0.01～0.2)，進行球磨；
步驟(4)，粉體B球磨完成后，將步驟(3)得到的粉體B經過干燥、研磨、造粒、壓片成型工藝后，在馬弗爐中，首先由室溫升溫至400℃，保溫10min；然后由400℃升溫至550～650℃，保溫30～60min；再由550～650℃升溫至1000～1100℃，保溫2～3h；最后由1000～1100℃降溫至400℃；隨爐冷卻至室溫，制得低損耗、高電阻率Bi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷；
所述步驟(1)和步驟(3)中球磨是按照質量比為粉體A或粉體B：球石：水＝1:(1～8):(0.8～1.2)，混合后在球磨罐中球磨4～8h；
所述步驟(2)和步驟(4)干燥是在60～80℃的恒溫箱中干燥8～24h；
所述升溫和降溫的速率均為3～6℃/min。
2.根據權利要求1所述的一種低損耗、高電阻率Bi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷的制備方法，其特征在于：所述球石為氧化鋯球石，水為蒸餾水。
3.基于權利要求1-2任意一項所述制備方法制備的低損耗、高電阻率Bi4Ti3O12基無鉛壓電陶瓷。
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