[發明專利]一種顯示基板、其測試方法及制備方法

有效

• 申請號: 201410692290.0
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104362156A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 蔡振飛;陳健;徐朝換;陳正偉
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種顯示基板，具有至少一個測試區，其特征在于，在所述測試區內包括：大小和極性相同的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管、第一測試端子、第二測試端子、第三測試端子和第四測試端子；其中，

所述第一測試端子與所述第一薄膜晶體管的柵極相連，所述第二測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極相連，所述第三測試端子與所述第二薄膜晶體管的柵極相連，所述第四測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連。

2.如權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述測試區的形狀為矩形；

所述第一測試端子和第三測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點，所述第二測試端子和第四測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點。

3.如權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極同層設置；所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層同層設置；所述第一薄膜晶體管的源漏電極和所述第二薄膜晶體管的源漏電極同層設置。

4.如權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第一測試端子和所述第三測試端子同層設置。

5.如權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的源漏電極與所述第二測試端子和所述第四測試端子同層設置。

6.如權利要求1-5任一項所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還具有顯示區，所述顯示區包括多個用于顯示的薄膜晶體管：

所述測試區內第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極與所述顯示區內薄膜晶體管的柵極同層設置；所述測試區內第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的有源層與所述顯示區內薄膜晶體管的有源層同層設置；所述測試區內第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源漏電極與所述顯示區內薄膜晶體管的源漏電極同層設置。

7.一種如權利要求1-6任一項所述的顯示基板的測試方法，其特征在于，包括：

采用第一探針對第一測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第二測試端子加載數據信號，采用第四探針通過第四測試端子采集第一薄膜晶體管的漏極電流信號；

將顯示基板旋轉180度；

采用第一探針對第三測試端子加載柵極電壓信號，采用第二探針對第四測試端子加載數據信號，采用第四探針通過第二測試端子采集第二薄膜晶體管的漏極電流信號；

將第四探針采集到第一薄膜晶體管的漏極電流信號和第二薄膜晶體管的漏極電流信號進行對比，確定顯示基板是否存在制作工藝缺陷。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，采用第一探針對第三測試端子加載的柵極電壓信號與采用第一探針對第一測試端子加載的柵極電壓信號相同；

采用第二探針對第四測試端子加載的數據信號與采用第二探針對第二測試端子加載的數據信號相同。

9.一種如權利要求1-6任一項所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上通過一次構圖工藝形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵極、第一測試端子和第三測試端子的圖形；

通過一次構圖工藝分別在第一薄膜晶體管的柵極上形成第一薄膜晶體管的有源層的圖形，在第二薄膜晶體管的柵極上形成第二薄膜晶體管的有源層的圖形；

通過一次構圖工藝分別在第一薄膜晶體管的有源層上形成第一薄膜晶體管的源漏極的圖形，在第二薄膜晶體管的有源層上形成第二薄膜晶體管的源漏極的圖形，以及第二測試端子和第四測試端子的圖形。