[發明專利]一種顯示基板、其測試方法及制備方法有效
| 申請號: | 201410692290.0 | 申請日: | 2014-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN104362156A | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發明(設計)人: | 蔡振飛;陳健;徐朝換;陳正偉 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 230011 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 測試 方法 制備 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板、其測試方法及制備方法。
背景技術
目前,液晶顯示面板(LCD,Liquid?Crystal?Display)、電致發光(EL,electroluminescence)顯示面板以及電子紙等顯示裝置已為人所熟知。在這些顯示裝置中,用于實現顯示功能的顯示基板上具有控制各像素開關的薄膜晶體管(TFT,Thin?Film?Transistor),薄膜晶體管作為各像素的開關控制數據線上的數據信號輸入到各像素中,以實現圖像顯示的功能。然而,在顯示基板的實際生產過程中,由于工程能力的不穩定,生產出的不同顯示基板之間通常會有TFT特性差異,相同的顯示基板之間的不同區域也會有TFT特性差異,當技術人員不知道是哪一工藝步驟出現問題時,就可以選取一批新的玻璃基板,分別在不同工藝步驟之前將玻璃基板旋轉,然后進行工藝制作,在制作完成后,分別對旋轉后的顯示基板進行TFT特性測試,將旋轉前與旋轉后的TFT特性測試參數進行比較,通過對比發現顯示基板制造工藝中工藝設備的問題,進而改善工藝制作,提升產品品質。
現有的TFT陣列基板制作工藝中,對TFT特性進行監控測量的方式為在顯示基板的周邊區域制作與像素區域相同的TFT,TFT的柵極、源極和漏極分別與測試端子G、S、D相連,另外通常還設置有一個空置的測試端子E,如圖1a和1b所示,其中在對TFT進行特性測試時,測試端子G通常加載-30V~30V的電壓信號,測試端子S加載15V恒定信號,測試端子D收集流過TFT的電流變化,空置的測試端子E不加載信號,測試設備的探針位置固定,分布于正方形的四個頂點的位置,相互間隔700um。在對TFT進行特性測量時,旋轉前利用測試設備中的探針向如圖1a中所示的測試端子G和測試端子S兩個端子加載信號,測試端子D將收集的電流信號通過探針傳遞給測試設備,測試設備收集測試數據;同理,顯示基板旋轉180度后測試設備中的探針向如圖1b中所示的測試端子G和測試端子S兩個端子加載信號,測試端子D將收集的電流信號通過探針傳遞給測試設備,測試設備收集測試數據,技術人員對顯示基板旋轉前與旋轉后的測試數據進行比較,找出工藝設備的問題,從而改善制作工藝,提升產品品質。
然而,上述測試過程中,顯示基板旋轉前與旋轉后分別如圖1a和1b所示,由于TFT隨著顯示基板的旋轉也發生了旋轉,其測試端子也相應發生了旋轉,而測試設備的四個探針位置是固定的,因此在對TFT旋轉前和旋轉后的測試中,需要更改測試探針的位置以及加載的信號,才能實現正常的TFT特性測試,這樣測試使得測試工作比較繁瑣、耗時。
因此,如何簡化顯示基板的測試程序,從而提高顯示基板的測試效率,進而可以快速發現顯示基板制作工藝中的問題,改善工藝制作過程,提升產品品質,是本領域技術人員亟待解決的問題。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示基板、其測試方法及制備方法,用以解決現有技術中存在的顯示基板的測試工作比較繁瑣、耗時的問題。
本發明實施例提供了一種顯示基板,具有至少一個測試區,在所述測試區內包括:大小和極性相同的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管、第一測試端子、第二測試端子、第三測試端子和第四測試端子;其中,
所述第一測試端子與所述第一薄膜晶體管的柵極相連,所述第二測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的源極和所述第二薄膜晶體管的漏極相連,所述第三測試端子與所述第二薄膜晶體管的柵極相連,所述第四測試端子分別與所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的源極相連。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述顯示基板中,所述測試區的形狀為矩形;
所述第一測試端子和第三測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點,所述第二測試端子和第四測試端子分別位于所述矩形中呈對角的兩個頂點。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述顯示基板中,所述第一薄膜晶體管的柵極和所述第二薄膜晶體管的柵極同層設置;所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層同層設置;所述第一薄膜晶體管的源漏電極和所述第二薄膜晶體管的源漏電極同層設置。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述顯示基板中,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的柵極與所述第一測試端子和所述第三測試端子同層設置。
在一種可能的實施方式中,本發明實施例提供的上述顯示基板中,所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的源漏電極與所述第二測試端子和所述第四測試端子同層設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





