[發明專利]一種電路器件的可靠性評估方法及裝置有效
| 申請號: | 201410692196.5 | 申請日: | 2014-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN104408252B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發明(設計)人: | 李孝遠;林熠;李洛宇;羅春華;安奇;劉從振 | 申請(專利權)人: | 深圳市國微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電路 器件 可靠性 評估 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明屬于可靠性工程技術領域,尤其涉及一種電路器件的可靠性評估方法與裝置。
背景技術
現代科學技術的發展和工業水平的提高,極大地延長了半導體器件的壽命,提高了半導體器件的可靠性,因此,如何評估長壽命、高可靠性產品的可靠性,也成為了目前可靠性工程領域需要解決的重要問題。
目前,加速壽命實驗已成為預測器件可靠性的一種行之有效的方法,被業界普遍采用。半導體器件的失效大多是由于表面、體內以及金屬化系統的物理化學變化造成的,當溫度升高以后,這些變化過程大大加快,器件失效過程加速,這就是加速壽命實驗的理論依據。
采用阿列尼烏斯(Arrhenius)經驗公式可以很好地評估器件壽命與溫度之間的關系,但是該經驗公式對器件的評估依賴于對長時間加速壽命實驗的結果分析,所以對于器件研制方而言,只有在加速壽命實驗后,才能根據上述公式進行失效分析,而當確定失效結果之后,又需要重新對器件進行可靠性加固設計。然而,半導體器件的研制需要經過電路設計、工藝流片、封閉、測試等多個環節,生產周期較長,上述方法顯然更加延長了產品的研制周期,增加了研發成本。
發明內容
本發明實施例的目的在于提供一種電路器件的可靠性評估方法,旨在解決現有的半導體器件可靠性評估方法導致產品的研發周期長,研發成本高的問題。
本發明實施例是這樣實現的,一種電路器件的可靠性評估方法,包括:
本發明實施例的另一目的在于提供一種電路器件的可靠性評估方法,包括:
配置用于可靠性評估的測試電路的特性參數;
基于實驗數據獲取所述特性參數的應力趨勢模型,所述應力趨勢模型用于表示所述特性參數在不同應力之下的特性參數值;
建立所述測試電路的電路模型;
在所述測試電路的電路模型中引入所述應力趨勢模型,得到所述測試電路的應力仿真數據;
基于所述測試電路的應力仿真數據,采用阿列尼烏斯經驗公式完成對所述測試電路的可靠性評估。
本發明實施例的另一目的在于提供一種電路器件的可靠性評估裝置,包括:
特性參數配置單元,用于配置用于可靠性評估的測試電路的特性參數;
應力趨勢模型建立單元,用于獲取所述特性參數的應力趨勢模型,所述應力趨勢模型用于表示所述特性參數在不同應力之下的特性參數值;
電路模型建立單元,用于建立所述測試電路的電路模型;
模型引入單元,用于在所述測試電路的電路模型中引入所述應力趨勢模型,得到所述測試電路的應力仿真數據;
評估單元,用于基于所述測試電路的應力仿真數據,采用阿列尼烏斯經驗公式完成對所述測試電路的可靠性評估。
在本發明實施例中,提取電路器件特性參數的“應力-特性參數”趨勢模型,并基于電路設計仿真工具對測試電路進行建模及應力仿真,最后采用阿列尼烏斯經驗公式提前完成對器件的可靠性評估,從而有效地降低了產品開發過程中的可靠性實驗周期,且能夠較為準確地完成對電路器件的可靠性評估。
附圖說明
圖1是本發明實施例提供的電路器件的可靠性評估方法的實現流程圖;
圖2是本發明實施例提供的電路器件的可靠性評估方法S102的具體實現流程圖;
圖3是本發明實施例提供的應力趨勢模型的示例圖;
圖4是本發明另一實施例提供的應力趨勢模型的示例圖;
圖5是本發明實施例提供的電路器件的可靠性評估裝置的結構框圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
在本發明實施例中,提取電路器件特性參數的“應力-特性參數”趨勢模型,并基于電路設計仿真工具對測試電路進行建模及應力仿真,最后采用阿列尼烏斯經驗公式提前完成對器件的可靠性評估,從而有效地降低了產品開發過程中的可靠性實驗周期,且能夠較為準確地完成對電路器件的可靠性評估。
圖1示出了本發明實施例提供的電路器件的可靠性評估方法的實現流程,詳述如下:
在S101中,配置用于可靠性評估的測試電路的特性參數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市國微電子有限公司,未經深圳市國微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410692196.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





