[發(fā)明專利]低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410689750.4
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN105702290B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林信章;黃文謙;范雅婷;葉仰森;吳政穎
• 申請（專利權(quán)）人: 億而得微電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法，其特征在于， 該低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組包含：多條平行的位線，區(qū)分為多組位 線，該多組位線包含一第一組位線；多條平行的字線，與多條該位線互相垂直，并 包含一第一字線、第二字線；多條平行的共源線，與多條該字線互相平行，并包含 一第一共源線；及多個子內(nèi)存數(shù)組，每一該子內(nèi)存數(shù)組連接一組該位線、二該字線 與一該共源線，每一該子內(nèi)存數(shù)組包含：一第一記憶晶胞，連接該第一組位線、該 第一共源線與該第一字線；以及一第二記憶晶胞，連接該第一組位線、該第一共源 線與該第二字線，該第一記憶晶胞、該第二記憶晶胞互相對稱配置，并分別位于該 第一共源線的相異兩側(cè)，其中，該第一記憶晶胞、該第二記憶晶胞皆包含位于P型 基板或P型井區(qū)中的N型場效晶體管，且該第一記憶晶胞、該第二記憶晶胞皆作 為一操作記憶晶胞，則在選取所有該操作記憶晶胞進行操作時，該操作方法包括：

于所有該操作記憶晶胞連接的該P型基板或該P型井區(qū)施加一基底電壓V_sub， 且于所有該操作記憶晶胞連接的該位線、該字線、該共源線分別施加一位電壓V_b、 一字電壓V_w、一共源電壓V_s，并滿足下列條件：

寫入時，滿足V_sub＝接地；

V_s＝V_b＝0；及

V_w＝高壓；及

抹除時，滿足V_sub＝接地；

V_s＝V_b＝高壓；及

V_w＝浮接。

2.如權(quán)利要求1所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法， 其特征在于，該第一組位線包含一該位線，其連接該第一記憶晶胞、該第二記憶晶 胞。

3.如權(quán)利要求1所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法， 其特征在于，該第一組位線包含二該位線，其分別連接該第一記憶晶胞、該第二記 憶晶胞。

4.如權(quán)利要求2或3所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作 方法，其特征在于，相鄰二該子內(nèi)存數(shù)組中，二該第二記憶晶胞彼此相鄰且連接同 一該位線，以共享同一接點。

5.如權(quán)利要求1所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法， 其特征在于，該第一記憶晶胞的該N型場效晶體管具有一汲極、一源極及一漂浮閘 極，該汲極連接該第一組位線，該源極連接該第一共源線，且該第一記憶晶胞更包 含一電容，其一端連接該漂浮閘極，另一端連接該第一字線，以接收該第一字線的 偏壓，該N型場效晶體管接收該第一組位線與該第一共源線的偏壓，對該N型場 效晶體管的該漂浮閘極進行寫入數(shù)據(jù)或?qū)⒃揘型場效晶體管的該漂浮閘極的數(shù)據(jù) 進行抹除。

6.如權(quán)利要求1所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法， 其特征在于，該第二記憶晶胞的該N型場效晶體管具有一汲極、一源極及一漂浮閘 極，該汲極連接該第一組位線，該源極連接該第一共源線，且該第一記憶晶胞更包 含一電容，其一端連接該漂浮閘極，另一端連接該第二字線，以接收該第二字線的 偏壓，該N型場效晶體管接收該第一組位線與該第一共源線的偏壓，對該N型場 效晶體管的該漂浮閘極進行寫入數(shù)據(jù)或?qū)⒃揘型場效晶體管的該漂浮閘極的數(shù)據(jù) 進行抹除。

7.如權(quán)利要求5或6所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作 方法，其特征在于，該漂浮閘極上依序設(shè)有一氧化層與一控制閘極，該控制閘極與 該氧化層、該漂浮閘極形成一電容，且該漂浮閘極與該控制閘極皆為多晶硅。

8.如權(quán)利要求3所述的低成本電子抹除式可復寫只讀存儲器數(shù)組的操作方法， 其特征在于，同一該子記憶晶胞數(shù)組中的該第一字線與該第二字線連接相同字電 壓。