[發(fā)明專利]曝光裝置和器件制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410683379.0 | 申請日: | 2014-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN104678713A | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 松岡洋一 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 林振波 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 器件 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及曝光裝置和器件制造方法。
背景技術(shù)
已知地,液浸式曝光裝置是具有高分辨率的曝光裝置。液浸式曝光裝置在投影光學(xué)系統(tǒng)的最終表面和基板之間填充液體,通過投影光學(xué)系統(tǒng)和液體將原稿圖案投影到基板上,以對基板曝光。在液浸式曝光裝置中,在最終表面和基板之間的液體中存在氣泡的情況下,氣泡會遮蔽和折射曝光光線,從而導(dǎo)致圖案分辨率降低。因此,液浸式曝光裝置使用經(jīng)過脫氣處理的液體。此外,在這種液浸式曝光裝置中,在基板和測量板的周緣部設(shè)置輔助部件,以便抑制在基板周緣曝光時以及在進(jìn)行測量(如對焦和校準(zhǔn))時的液體泄漏。日本專利申請?zhí)亻_平No.2011-109092公開了設(shè)置成用于抑制液體泄漏到輔助部件和測量板之間的間隙中的密封部件,其具有聚合物密封部和粘合劑層。
然而,如上所述的密封部件在與測量板和輔助部件接觸的同時具有微小間隙。盡管在與浸液接觸的部件如測量板、密封部件以及輔助部件的表面上控制了防水性,但微小間隙中存在氣體。因此,當(dāng)在測量板等上進(jìn)行測量時將經(jīng)過脫氣處理的液體放置在密封部件上時,液體會溶解微小間隙中的氣體。當(dāng)密封部件的微小間隙中的氣體溶解在液體中時,氣體獲得負(fù)壓且液體進(jìn)入微小間隙。由于已進(jìn)入微小間隙的液體以大于浸液保持力的力滯留在微小間隙中,因此即使完成了在測量板等上的測量且浸液移動之后,液體還會遺留在微小間隙中。此外,浸液被微小間隙中的液體部分地吸引,會出現(xiàn)多的液體殘留。特別地,在具有微小間隙的剖面結(jié)構(gòu)形成一封閉空間且液體覆蓋所有封閉空間的情況下,以及在已經(jīng)進(jìn)入微小間隙中的液體產(chǎn)生的分子間力大于液體的表面張力的情況下,出現(xiàn)覆蓋所有封閉空間的液體膜殘留。液體殘留導(dǎo)致基板上的曝光精度降低,并且殘留液體在測量板上干燥時會污染測量板,由此導(dǎo)致測量故障。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明例如提供了一種曝光裝置,其有利于在液浸曝光之后抑制測量板上出現(xiàn)液體殘留。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種曝光裝置,其在液體填充在投影光學(xué)系統(tǒng)和基板之間的同時對基板曝光,該曝光裝置包括:測量部件,布置在保持基板的基板臺上,并處于基板臺的基板保持表面?zhèn)龋惠o助部件,布置在基板臺的基板保持表面?zhèn)龋⑴c測量部件有一定間隙;以及密封部件,接觸輔助部件的表面,布置成覆蓋所述間隙,并用于抑制測量部件的表面或輔助部件的表面上的液體滲透到間隙中,其中,密封部件具有形成一空間的形狀,在該空間中,在液體處于測量部件的表面上且液體接觸密封部件的邊緣的同時,測量部件的一部分表面接觸氣體。
從下面參考附圖對示例性實施例的描述,本發(fā)明的其他特征將變得明顯。
附圖說明
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的曝光裝置的示意性結(jié)構(gòu)。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶片臺的俯視圖。
圖3A示出了根據(jù)比較例的測量板附近的結(jié)構(gòu)。
圖3B是圖3A所示比較例的測量板中的密封部件的放大圖。
圖4示出了根據(jù)第一實施例的測量板附近的結(jié)構(gòu)。
圖5示出了根據(jù)第二實施例的測量板附近的結(jié)構(gòu)。
圖6示出了根據(jù)第三實施例的測量板附近的結(jié)構(gòu)。
具體實施方式
下文中,將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
(第一實施例)
首先,將描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的曝光裝置的結(jié)構(gòu)。圖1是示出了根據(jù)本實施例的曝光裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。曝光裝置是在半導(dǎo)體器件制造工藝中使用的步進(jìn)掃描式液浸曝光裝置,其用作一個示例。該液浸曝光裝置在向投影光學(xué)系統(tǒng)的最終表面和晶片之間的空間(液浸區(qū)域)供給液體(浸液)18的同時把形成在掩模版(原稿)2上的圖案(例如電路圖案)曝光在晶片6(基板)上。在步進(jìn)掃描式液浸曝光裝置中,保持掩模版2的掩模版臺(原稿臺)3和保持晶片(基板)6的晶片臺(基板臺)7彼此同步地移動。該同步導(dǎo)致掩模版2上的整個圖案通過投影光學(xué)系統(tǒng)4在晶片6上連續(xù)地形成圖像,以對施加到晶片6表面的光刻膠進(jìn)行曝光。應(yīng)該注意,在圖1中,在垂直于Z軸(即豎直方向)的平面中曝光時,Y軸沿掩模版2和晶片6的掃描方向?qū)R,X軸定位在垂直于Y軸的非掃描方向。此外,在本實施例中,Z軸和投影光學(xué)系統(tǒng)4的光軸平行。曝光裝置具有照明系統(tǒng)1、掩模版臺3、投影光學(xué)系統(tǒng)4、晶片臺7和噴嘴19。
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