[發明專利]無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件及電池板在審
| 申請號: | 201410683128.2 | 申請日: | 2014-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN104332518A | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | 蔡霞;許明江;許志翔;胡雷振;張彩霞;倪志春 | 申請(專利權)人: | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;H01L31/042 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無框型晶硅 電池 完全 pid 組件 電池板 | ||
技術領域
本發明涉及一種晶硅光伏組件,特別是涉及一種無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件及電池板。
背景技術
晶體硅分為單晶硅、多晶硅、和非晶硅。其中,單晶硅太陽能電池是當前開發得最快的一種太陽能電池,它的構造和生產工藝已定型,產品已廣泛用于空間和地面。
上述晶體硅可用于制作晶體硅光伏組件,研究表明,存在于晶體硅光伏組件中的電路與其接地金屬邊框之間的高電壓,會造成組件的光伏性能的持續衰減。造成此類衰減的機理是多方面的,例如在上述高電壓的作用下,組件電池的封裝材料和組件上表面層及下表面層的材料中出現的離子遷移現象;電池中出現的熱載流子現象;電荷的再分配削減了電池的活性層;相關的電路被腐蝕等等。
上述引起衰減的機理被稱之為電勢誘發衰減、極性化、電解腐蝕和電化學腐蝕。常規抗PID(Potential?Induced?Degradation—電勢誘導衰減),在組件使用3-5年后組件功率衰減明顯,組件壽命期間,功率衰減過多,組件壽命變短,導致電站發電量明顯下降。
同時,現有常規晶體硅組件重量約為20kg左右。組件本身的重量,限制了其應用范圍,在承重能力較弱的屋頂等項目中,不能滿足實際需求。并且,常規晶體硅組件笨重,導致其不方便攜帶及運輸。
因此,針對上述技術問題,有必要進一步的解決方案。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件及電池板,以克服現有的晶體硅光伏組件中存在的缺陷。
為了實現上述目的,本發明實施例提供的技術方案如下:
本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件包括:前板玻璃、電池片、背板以及接線盒,所述電池片位于所述前板玻璃和背板之間;
所述前板玻璃為4.0-5.0mm厚的光伏超白壓花玻璃,所述電池片與所述前板玻璃之間、電池片與所述背板之間分別設置有封裝材材料層,所述封裝材料層為聚烯烴,所述接線盒與電池片進行電性連接。
作為本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的改進,所述電池片任一側的封裝材料層的厚度為0.25-0.8mm。
作為本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的改進,所述無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的厚度小于1cm,重量為8-12kg。
作為本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的改進,所述無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件還包括焊帶,所述焊帶設置于所述電池片的正面,所述接線盒與所述焊帶進行電性連接。
作為本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的改進,所述聚烯烴為熱固型或熱塑型。
作為本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的改進,所述接線盒為背接式接線盒,其安裝于所述電池片的背面。
為了實現上述目的,本發明實施例提供的技術方案如下:
本發明的電池板包括如上所述的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件,所述組件的數量為多個,所述多個組件之間進行電性連接。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件摒棄鋁邊框,組件無需裝框就能滿足5400pa的載荷要求;且組件完全抗PID,并且減小組件重量,降低組件厚度,降低制造成本。從而,大大延長組件使用壽命,降低組件使用過程中的功率衰減,擴展了晶體硅組件的應用范圍,及提高了晶體硅組件的便捷性及可運輸性。解決了晶體硅組件質量重,厚度厚,運輸及使用不方便等問題;
同時,本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件的光透過率達到92%以上,增加了組件的發電量,并且不降低組件的剛性和機械載荷能力;
本發明的無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件水汽透過率低,增加了組件的抗PID性能,使組件為完全抗PID組件,在組件壽命期間不會出現PID現象。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明無框型晶硅電池完全抗PID輕質組件一具體實施方式的平面示意圖,其中,前板玻璃-10、電池片-20、背板-30、接線盒-40、封裝材材料層-50、焊帶-60。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





