[發明專利]薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201410682972.3
• 申請日: 2014-11-24
• 公開（公告）號: CN104377247B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 黃秋平
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/43;H01L21/336
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法。

背景技術

目前，應用氧化物半導體作為薄膜晶體管的半導體層屬于比較前沿的技術。由于氧化物半導體薄膜晶體管具有較高的遷移率和高的可見光透過性，該器件正被大量的應用于液晶顯示裝置。

現有技術中的薄膜晶體管存在由于光照射薄膜晶體管的半導體層而導致該薄膜晶體管的閥值發生波動的問題。由于對入射光的吸收，而導致電導率發生變動，薄膜晶體管的閥值變動，從而導致液晶顯示面板可靠性降低。

發明內容

本發明提供一種薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法，能夠實現對薄膜晶體管的遮光保護，又能夠節省工藝步驟。

為了實現上述目的，本發明實施方式提供如下技術方案：

本發明供了一種薄膜晶體管，包括基板、設于基板表面的柵極電極、層疊設置在所述柵極電極上的柵極保護層和半導體層、設于所述半導體層表面的刻蝕阻止層、源極金屬和漏極金屬，所述源極金屬和所述漏極金屬位于所述刻蝕阻止層的兩側，所述薄膜晶體管還包括遮光層、絕緣介質層和像素電極，所述遮光層層疊設于所述刻蝕阻止層上方，以防止光照射至所述半導體層，所述絕緣介質層覆蓋所述源極金屬、所述漏極金屬及所述遮光層，所述像素電極設于所述絕緣介質層表面，且電連接至所述漏極金屬。

其中，所述遮光層為有機黑色材質，具有不透光不導電的特性。

其中，所述遮光層為黑色負性光阻。

其中，所述遮光層的材料為BM材料。

本發明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述任意一項所述的薄膜晶體管。

本發明還提供一種薄膜晶體管的制造方法，所述薄膜晶體管的制造方法包括：

提供基板，并在所述基板上沉積柵極電極；

在所述基板的設有所述柵極電極的表面沉積柵極保護層；

在所述柵極保護層表面制作半導體層；

在所述半導體層表面沉積刻蝕阻止層；

在所述刻蝕阻止層表面制作遮光層；

沉積源極金屬和漏極金屬，所述源極金屬和所述漏極金屬位于所述半導體層表面，且分別位于所述刻蝕阻止層的兩側；

沉積絕緣介質層，所述絕緣介質層覆蓋所述源極金屬、所述漏極金屬及所述遮光層；及

制作像素電極，所述像素電極設于所述絕緣介質層表面，且電連接至所述漏極金屬。

其中，所述遮光層為有機黑色材質，具有不透光不導電的特性。

其中，所述遮光層為黑色負性光阻，通過對所述遮光層進行光刻工藝，在同道光刻工藝制程中實現所述刻蝕阻止層圖形和所述遮光層圖形的制作。

其中，“在所述刻蝕阻止層表面制作遮光層”的步驟包括：

在沉積好的所述刻蝕阻止層表面涂覆一層光刻膠，所述光刻膠為負性光刻膠，具遮光特征；及

配合光罩設計，通過光刻工藝，制作光刻圖形，以形成所述遮光層圖形和所述刻蝕阻止層圖形。

其中，所述光刻工藝為半色調或灰度的光刻工藝的掩膜設計，能夠調整所述遮光層的厚度。

本發明通過在刻蝕阻止層表面設一層遮光層，使得本發明薄膜晶體管導電區域被一層不透光的遮光層所覆蓋，遮光層能夠保護晶體管半導體層不被光所照射，從而避免了由于光照的原因導致薄膜晶體管閥值波動，提高顯示裝置的可靠性。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以如這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明一種實施方式中的薄膜晶體管示意圖。

圖2是制造圖1所示的薄膜晶體管過程中，在基板上沉積柵極電極、柵極保護層及半導體層的示意圖。

圖3是制造圖1所示的薄膜晶體管過程中，在圖2的基礎上沉積刻蝕阻止層的示意圖。

圖4是制造圖1所示的薄膜晶體管過程中，在圖3的基礎上涂覆一層光刻膠，且進行光刻工藝的示意圖。

圖5是在圖4的基礎上，光刻工藝后形成遮光層圖形的示意圖。

圖6是在圖5的基礎上，刻蝕出刻蝕阻止層的圖形的示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施方式中的附圖，對本發明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述。