[發明專利]薄膜晶體管、顯示裝置及薄膜晶體管的制造方法有效
| 申請號： | 201410682972.3 | 申請日： | 2014-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN104377247B | 公開（公告）日： | 2017-12-08 |
| 發明（設計）人： | 黃秋平 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/43;H01L21/336 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人： | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 顯示裝置 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制造方法包括：
提供基板，并在所述基板上沉積柵極電極；
在所述基板的設有所述柵極電極的表面沉積柵極保護層；
在所述柵極保護層表面制作半導體層；
在所述半導體層表面沉積刻蝕阻止層；
在所述刻蝕阻止層表面制作遮光層，其中，所述遮光層為黑色負性光阻，通過對所述遮光層進行光刻工藝，在同道光刻工藝制程中實現所述刻蝕阻止層圖形和所述遮光層圖形的制作，所述光刻工藝為半色調或灰度的光刻工藝的掩膜設計，能夠調整所述遮光層的厚度；
沉積源極金屬和漏極金屬，所述源極金屬和所述漏極金屬位于所述半導體層表面，且分別位于所述刻蝕阻止層的兩側；
沉積絕緣介質層，所述絕緣介質層覆蓋所述源極金屬、所述漏極金屬及所述遮光層；及
制作像素電極，所述像素電極設于所述絕緣介質層表面，且電連接至所述漏極金屬。
2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述遮光層為有機黑色材質，具有不透光不導電的特性。
3.如權利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，“在所述刻蝕阻止層表面制作遮光層”的步驟包括：
在沉積好的所述刻蝕阻止層表面涂覆一層光刻膠，所述光刻膠為負性光刻膠，具遮光特征；及
配合光罩設計，通過光刻工藝，制作光刻圖形，以形成所述遮光層圖形和所述刻蝕阻止層圖形。
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