[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410680601.1
• 申請日: 2014-11-24
• 公開（公告）號: CN104393005A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 陳立強;孫韜;高濤;楊靜;許晨
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

近年來，顯示器市場發展很快，尤其是平板顯示領域，如LCD(液晶顯示器)，PDP(等離子體顯示器)，OLED(有機電致發光顯示器)等，得到了越來越廣泛的應用。

但是，液晶顯示器、有機電致發光顯示器的載體主要采用玻璃基板，玻璃基板具有脆性、易損壞等缺點，在要求便攜化、輕薄化、質輕的移動顯示設備領域以及大尺寸顯示設備領域的應用上受到了限制。因此，近年來以柔性基板如塑料基板、金屬箔片等代替玻璃基板制備的柔性顯示器件受到了廣泛關注，在未來顯示領域也將有更廣闊的發展空間。

有機柔性基板采用的材料主要包括PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亞胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等，這些材料具有較高的溫度穩定性、尺寸穩定性和化學穩定性。PI是耐溫等級最高的聚合物材料，且具有良好的化學穩定性和尺寸穩定性，是最有前途的柔性基板材料。

現有技術一般需要在PI基板上制備無機緩沖層(采用SiNx和SiO₂等)，用以緩沖PI表面的粗糙度，之后再在無機緩沖層上制備顯示器件。但是由于PI的熱膨脹系數與無機緩沖層相差較大(PI的熱膨脹系數為16ppm/℃，SiNx和SiO₂的熱膨脹系數小于5ppm/℃)，且無機緩沖層一般需要采用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積法)高溫制備，在高溫下PI層會對無機緩沖層有較大的熱應力(壓應力)，嚴重時甚至會使無機緩沖層破裂；另外，采用PECVD制備的無機緩沖層的本征應力也為較大的壓應力，這樣會使無機緩沖層更易破裂。

現有解決上述問題的方法是通過調整工藝參數，將與PI層接觸的無機緩沖層的本征應力調整為拉應力，即將無機緩沖層制備成結構疏松的膜層，但是調整應力的過程比較復雜，并且膜層疏松不利于阻隔水汽，因此，現有技術并不能很好的解決無機緩沖層破裂的問題。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，能夠緩沖基板對無機緩沖層造成的熱應力的作用，防止無機緩沖層破裂，并提升顯示器件的顯示效果。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種顯示基板，包括：

形成在襯底基板上的緩沖金屬層的圖形；

位于形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上的無機緩沖層；

位于所述無機緩沖層上的顯示器件；

其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數在所述無極緩沖層的熱膨脹系數和所述基板的熱膨脹系數之間。

進一步地，所述襯底基板為柔性基板。

進一步地，所述顯示器件包括：

利用多晶硅層形成的有源層的圖形；

柵絕緣層；

利用柵金屬層形成的柵電極；

中間絕緣層；

利用源漏金屬層形成的源電極和漏電極；

包括有第一過孔的鈍化層；

利用透明導電層形成的像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連接。

進一步地，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；

所述顯示基板還包括：

利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第一電容的第二電極。

進一步地，所述顯示基板還包括：

利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第二電容的第一電極；

利用柵金屬層形成的所述顯示器件的第二電容的第二電極。

進一步地，所述顯示基板還包括：

貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過孔；

利用透明導電層形成的通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號引出線。

本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示基板。

本發明實施例還提供了一種顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形；

在形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上形成無機緩沖層；

在所述無機緩沖層上制備顯示器件；

其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數在所述無極緩沖層的熱膨脹系數和所述基板的熱膨脹系數之間。

進一步地，所述在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形之前還包括：

對所述襯底基板的表面進行等離子體轟擊；或

對所述襯底基板的表面進行金屬離子注入。