[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410680601.1
• 申請日: 2014-11-24
• 公開（公告）號: CN104393005A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 陳立強;孫韜;高濤;楊靜;許晨
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種顯示基板，其特征在于，包括：

形成在襯底基板上的緩沖金屬層的圖形；

位于形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上的無機緩沖層；

位于所述無機緩沖層上的顯示器件；

其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數在所述無極緩沖層的熱膨脹系數和所述基板的熱膨脹系數之間。

2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述襯底基板為柔性基板。

3.根據權利要求1或2所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示器件包括：

利用多晶硅層形成的有源層的圖形；

柵絕緣層；

利用柵金屬層形成的柵電極；

中間絕緣層；

利用源漏金屬層形成的源電極和漏電極；

包括有第一過孔的鈍化層；

利用透明導電層形成的像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連接。

4.根據權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；

所述顯示基板還包括：

利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第一電容的第二電極。

5.根據權利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

利用摻雜或離子注入后的所述多晶硅層形成的所述顯示器件的第二電容的第一電極；

利用柵金屬層形成的所述顯示器件的第二電容的第二電極。

6.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：

貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過孔；

利用透明導電層形成的通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號引出線。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6中任一項所述的顯示基板。

8.一種顯示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形；

在形成有所述緩沖金屬層的圖形的襯底基板上形成無機緩沖層；

在所述無機緩沖層上制備顯示器件；

其中，所述緩沖金屬層的熱膨脹系數在所述無極緩沖層的熱膨脹系數和所述基板的熱膨脹系數之間。

9.根據權利要求8所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成緩沖金屬層的圖形之前還包括：

對所述襯底基板的表面進行等離子體轟擊；或

對所述襯底基板的表面進行金屬離子注入。

10.根據權利要求8所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述無機緩沖層上制備顯示器件包括：

在所述無機緩沖層上利用多晶硅層形成有源層的圖形；

形成柵絕緣層；

利用柵金屬層形成柵電極；

形成中間絕緣層；

利用源漏金屬層形成源電極和漏電極；

形成包括有第一過孔的鈍化層；

利用透明導電層形成像素電極，所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏電極連接。

11.根據權利要求10所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，

所述緩沖金屬層的圖形包括所述顯示器件的第一電容的第一電極；

利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括：

利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區域；

所述利用所述多晶硅層形成所述第一電容的第二電極區域之后還包括：

對所述第二電極區域進行摻雜或離子注入形成所述第一電容的第二電極。

12.根據權利要求10所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，

利用多晶硅層形成有源層的圖形的同時還包括：

利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區域；

利用多晶硅層形成所述顯示器件的第二電容的第一電極區域之后還包括：對所述第一電極區域進行摻雜或離子注入形成所述第二電容的第一電極；

利用柵金屬層形成柵電極的同時還包括：

利用柵金屬層形成所述第二電容的第二電極。

13.根據權利要求11所述的顯示基板的制作方法，其特征在于，所述利用透明導電層形成像素電極之前還包括：

形成貫穿所述鈍化層、所述中間絕緣層、所述柵絕緣層和所述無機緩沖層的第二過孔；

利用透明導電層形成像素電極的同時還包括：

利用透明導電層形成通過所述第二過孔與所述第一電容的第一電極連接的信號引出線。