[發(fā)明專利]一種具有局部背勢壘的氮化鎵基功率異質結場效應晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410679795.3
• 申請日: 2014-11-24
• 公開（公告）號: CN104409496A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設計）人: 杜江鋒;潘沛霖;王康;劉東;于奇
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 李明光

1.一種具有局部背勢壘的氮化鎵基功率異質結場效應晶體管，從下至上依次主要為襯底(101)，氮化鋁成核緩沖層(102)，氮化鎵溝道層(103)，鋁銦鎵氮勢壘層(104)，在鋁銦鎵氮勢壘層(104)上形成有源極(105)、漏極(106)和柵極(107)，源極(105)及漏極(106)均與鋁銦鎵氮勢壘層(104)成歐姆接觸，柵極(107)與鋁銦鎵氮勢壘層(104)成肖特基接觸，在鋁銦鎵氮勢壘層(104)內設有鋁銦鎵氮局部背勢壘層(201)，所述鋁銦鎵氮局部背勢壘層(201)的下表面與氮化鋁成核緩沖層(102)的上表面直接接觸，在其特征在于，所述局部背勢壘層(201)在橫向上位于柵極(107)和漏極(106)之間的區(qū)域內。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有局部背勢壘的氮化鎵基功率異質結場效應晶體管，其特征在于，所述鋁銦鎵氮局部背勢壘層(201)的極化強度大于所述氮化鎵溝道層(103)的極化強度。

3.根據(jù)權利要求2所述的氮化鎵基增強型異質結場效應晶體管，其特征在于，所述的鋁銦鎵氮的極化強度P_sp(Al_xIn_yGa_zN)可通過下式確定：

P_sp(Al_xIn_yGa_zN)＝x·P_sp(AlN)+y·P_sp(InN)+z·P_sp(GaN)

其中，P_sp(AlN)、P_sp(InN)、P_sp(GaN)分別指AlN、InN、GaN的極化強度，x、y、z分別指鋁銦鎵氮中Al、In和Ga的摩爾百分比組分含量，且x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

4.根據(jù)權利要求1所述的具有局部背勢壘的氮化鎵基功率異質結場效應晶體管，其特征在于，所述的鋁銦鎵氮局部背勢壘層(201)與柵極(107)漏邊沿的距離L_GB滿足0≤L_GB≤(L_GD-L_BB)，其中L_GD為柵漏距。

5.根據(jù)權利要求1所述的具有局部背勢壘的氮化鎵基功率異質結場效應晶體管，其特征在于，所述的鋁銦鎵氮局部背勢壘層(201)上表面距離溝道層(103)上表面的距離T_CB滿足0＜T_CB。