[發明專利]DRAM中子單粒子效應試驗控制方法與裝置

有效

• 申請號: 201410678067.0
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105679371B
• 公開（公告）日: 2018-08-31
• 發明（設計）人: 王群勇;張峰;陳冬梅;陽輝
• 申請（專利權）人: 北京圣濤平試驗工程技術研究院有限責任公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08;G05B19/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

本發明涉及DRAM中子單粒子效應試驗控制方法，包括：S1：對器件的多個控制參數進行設置與計算；S2：在完成設置與計算的多個控制參數組合的約束條件下對器件進行控制。本發明明確規定了試驗應當控制的參數條件以及約束各參數的控制方法，優化并提出了完整的試驗過程控制理論方法，保證了試驗結果的正確性，也為保證航空/航天系統在空間環境中系統可靠性研究奠定了基礎。本發明還公開了DRAM中子單粒子效應試驗控制裝置。

技術領域

本發明涉及自動控制技術領域，尤其涉及DRAM中子單粒子效應試驗控制方法與裝置。

背景技術

目前，為了研究DRAM的敏感特性，國內目前用14MeV能量的中子來代替實際空間環境中的中子對DRAM進行輻照試驗。在試驗過程中，如何控制試驗參數、約束試驗條件，保證試驗結果精確性成為進行有效研究的重要前提。目前國內單粒子效應的研究尚屬初步階段，更沒有建立完整的試驗結果精確性控制體系。因此，從試驗參數的確定于控制方法入手，制定了一套試驗過程控制理論，可以保證試驗結果的正確性，進而為保證航空/航天系統在空間環境中的系統可靠性打下堅實基礎。

具體地，DRAM是機載電子設備的關鍵核心器件，其工作狀態將直接影響所在設備的功能。然而在3km-20km的飛行高度中，在大氣中子的作用下，DRAM的敏感功能塊將會產生單粒子效應，造成軟件錯誤與硬件故障。

進一步地，DRAM的敏感位為存儲單元，在實際的空間環境中，各種敏感功能塊都有可能發生單粒子翻轉。然而在現階段的模擬實驗中，我們只針對設備上的某一個或者某幾個的敏感器件上的部分敏感功能塊進行輻照試驗，并沒有全面考慮所有的敏感功能塊所能造成的危害；另一方面，在進行輻照試驗時，沒有對器件總位數B進行嚴格討論，沒有給出錯誤數N，累計注量F的控制方法，也沒有對試驗截止條件N_end，F_end進行理論分析，這些都將導致試驗程序的規范性不足，進而影響試驗結果的準確性。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是如何從試驗應當控制的參數以及出參數控制方法入手，優化一套試驗過程控制理論，既能保證試驗結果的正確性，又能保證航空/航天系統在空間環境中的系統可靠性的關鍵問題。

為此目的，本發明提出了DRAM中子單粒子效應試驗控制方法，包括具體以下步驟：

S1：對器件的多個控制參數進行設置與計算；

S2：在完成設置與計算的多個控制參數組合的約束條件下對器件進行控制。

具體地，所述多個控制參數包括：錯誤數觀測值N、未防護位B、注量率F、器件敏感功能塊數i、錯誤類型數j、試驗截止檢測錯誤數N_end以及截止注量F_end。

進一步地，所述錯誤數觀測值N由公式計算獲得，所述公式為：

N＝N₀*[錯誤傳遞率/(軟件用例覆蓋率*軟件用例測試覆蓋率)]，其中，N₀為初始錯誤數觀測值，所述錯誤傳遞率、軟件用例覆蓋率以及軟件用例測試覆蓋率均為試驗聯調聯試時的獲取值。

進一步地，所述未防護位B由公式計算獲得，所述公式為：

B＝B₀*資源利用率*未防護率，其中，B₀為真實的配置工作位數，所述資源利用率以及未防護率均為試驗聯調聯試時的獲取值。

進一步地，所述注量率F由公式計算獲得，所述公式為：

其中，F為試驗器件接收到的中子累積注量，單位為n/cm²；Netarea為監測到的靶源產生的α粒子數；R為試驗器件到靶源的距離，單位為cm。