[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、其制作方法及相關(guān)裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410676136.4
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN104409514A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王楊;龍躍
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底基板，在所述襯底基板上層疊設(shè)置的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管共用一個柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管同時為P型晶體管或N型晶體管；或，

所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別為P型晶體管和N型晶體管。

4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的源漏極和所述第二薄膜晶體管的源漏極在所述襯底基板上的正投影相互重疊。

5.如權(quán)利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影相互重疊。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一薄膜晶體管的有源層和所述第二薄膜晶體管的有源層的材料分別為非晶硅、多晶硅、或半導(dǎo)體氧化物。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：設(shè)置在所述襯底基板和所述第一薄膜晶體管之間的保護(hù)層。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

9.一種電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路結(jié)構(gòu)包括柵線集成驅(qū)動電路或有機電致發(fā)光顯示器件的像素電路。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的陣列基板或權(quán)利要求9所述的電路結(jié)構(gòu)。

12.一種如權(quán)利要求1-7任一項所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成包括源漏極、有源層和柵極的第一薄膜晶體管的圖形；

在所述形成有柵極的襯底基板上形成包括有源層和源漏極的第二薄膜晶體管的圖形。

13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，采用同一掩膜板形成所述第一薄膜晶體管中源漏極的圖形和所述第二薄膜晶體管中源漏極的圖形。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，采用同一掩膜板形成所述第一薄膜晶體管中有源層的圖形和所述第二薄膜晶體管中有源層的圖形。