[發明專利]陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 201410675209.8
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN104362126A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 高勝;葛泳;袁波;陳杰;朱濤;劉玉成
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種陣列基板的制造方法。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發展，液晶顯示器和有機發光二極管(OLED)顯示器由于具有驅動電壓低、能耗低、重量輕、厚度薄等優點，得到廣泛的應用。

通常需要通過若干個光刻工藝，使用八個或更多個掩模板來制造顯示裝置的陣列基板。對于陣列基板上的存儲電容，需要將多晶硅層的一部分進行摻雜，并作為電容的一極以形成MIS電容。因此，需要額外進行一道掩膜工序以對電容區進行離子注入，在這里，掩膜工序包括曝光、顯影、蝕刻、離子注入、灰化等步驟，每增加一次掩膜工序會增加若干工藝步驟，極大提高了陣列基板的制造成本。隨著顯示面板尺寸逐漸變大、所使用的掩模工序的數量增多，嚴重影響了陣列基板的制造生產率，增加了制造成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是現有陣列基板制造工藝步驟多、生產率低、制造成本高的問題。

為此目的，本發明提出了一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括順序堆疊的襯底層、柵極絕緣層、金屬氧化物層和金屬層，所述方法包括：在所述陣列基板上形成光刻膠層；利用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影，經曝光顯影后的光刻膠層在所述陣列基板的第一區域上的厚度小于在所述陣列基板的第二區域上的厚度，并且所述陣列基板的第三區域上不存在所述光刻膠層；對未覆蓋有光刻膠層的所述第三區域進行蝕刻，直至到達所述柵極絕緣層；去除所述第一區域上的光刻膠層；去除所述第一區域中的金屬層；去除所述第二區域上的光刻膠層；對上述步驟形成的所述陣列基板進行離子注入，以在所述第一區域內形成電容，在所述第二區域內形成溝道，在所述第三區域內形成源漏極區。

優選地，所述掩膜板為半色調掩膜板或灰度掩膜板，其中所述掩膜板的半透明區域對應于所述第一區域。

優選地，當所述光刻膠層采用正性光刻膠時，所述掩膜板的半透明區域對應于所述第一區域，所述掩膜板的不透明區域對應于所述第二區域，所述掩膜板的透明區域對應于所述第三區域；當所述光刻膠層采用負性光刻膠時，所述掩膜板的半透明區域對應于所述第一區域，所述掩膜板的透明區域對應于所述第二區域，所述掩膜板的不透明區域對應于所述第三區域。

優選地，所述去除所述第一區域上的光刻膠層包括：通過灰化工藝去除相同厚度的光刻膠，使所述第一區域上的光刻膠層被完全去除，而所述第二區域上仍保留有光刻膠層。

優選地，通過一次所述離子注入同時形成所述陣列基板的所述電容、所述溝道和所述源漏極區。

優選地，所述襯底層是多晶硅層。

優選地，所述金屬氧化物層是ITO層。

優選地，所述金屬層由鉬構成。

通過采用本發明所公開的陣列基板制造方法，利用半色調掩膜板或灰度掩膜板來對光刻膠層進行曝光，并通過一次離子注入同時形成陣列基板的電容和源漏極區，由此省去了一道掩膜工序，減少了陣列基板的制造工藝步驟，提高了陣列基板的生產率，降低了陣列基板的制造成本。

附圖說明

通過參考附圖會更加清楚的理解本發明的特征和優點，附圖是示意性的而不應理解為對本發明進行任何限制，在附圖中：

圖1示出根據本發明實施例的陣列基板制造方法的流程圖；

圖2-7分別示出了根據本發明實施例的陣列基板制造方法的各步驟的示意圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明的實施例進行詳細描述。

如圖1所示，根據本發明實施例的陣列基板制造方法包括如下步驟：

S1：在陣列基板上形成光刻膠層5。如圖2所示，該陣列基板包括順序堆疊的襯底層1、柵極絕緣層2、金屬氧化物層3和金屬層4，以及在該陣列基板的金屬層4上涂覆的光刻膠層5。其中，襯底層1可以采用多晶硅材料制成，柵極絕緣層2可以采用氧化硅、氮化硅等絕緣材料制成，金屬氧化物層3可以采用ITO、IGZO、ITZO等材料制成，金屬層4可以采用鉬、銅、鋁等金屬材料制成，光刻膠層5可以采用正性或負性光刻膠層。