[發明專利]陣列基板的制造方法

在審

• 申請號: 201410675209.8
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN104362126A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 高勝;葛泳;袁波;陳杰;朱濤;劉玉成
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括順序堆疊的襯底層、柵極絕緣層、金屬氧化物層和金屬層，其特征在于，所述方法包括：

在所述陣列基板上形成光刻膠層；

利用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影，經曝光顯影后的光刻膠層在所述陣列基板的第一區域上的厚度小于在所述陣列基板的第二區域上的厚度，并且所述陣列基板的第三區域上不存在所述光刻膠層；

對未覆蓋有光刻膠層的所述第三區域進行蝕刻，直至到達所述柵極絕緣層；

去除所述第一區域上的光刻膠層；

去除所述第一區域中的金屬層；

去除所述第二區域上的光刻膠層；

對上述步驟形成的所述陣列基板進行離子注入，以在所述第一區域內形成電容，在所述第二區域內形成溝道，在所述第三區域內形成源漏極區。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板為半色調掩膜板或灰度掩膜板，其中所述掩膜板的半透明區域對應于所述第一區域。

3.根據權利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，當所述光刻膠層采用正性光刻膠時，所述掩膜板的半透明區域對應于所述第一區域，所述掩膜板的不透明區域對應于所述第二區域，所述掩膜板的透明區域對應于所述第三區域；當所述光刻膠層采用負性光刻膠時，所述掩膜板的半透明區域對應于所述第一區域，所述掩膜板的透明區域對應于所述第二區域，所述掩膜板的不透明區域對應于所述第三區域。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一區域上的光刻膠層包括：通過灰化工藝去除相同厚度的光刻膠，使所述第一區域上的光刻膠層被完全去除，而所述第二區域上仍保留有光刻膠層。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過一次所述離子注入同時形成所述陣列基板的所述電容、所述溝道和所述源漏極區。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述襯底層是多晶硅層。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物層是ITO層。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述金屬層由鉬構成。