[發明專利]半導體封裝結構的制法

有效

• 申請號: 201410673881.3
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105633055B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 蕭惟中
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體封裝結構的制法，其包括：

提供一具有相對的第一表面與第二表面的介電層，該介電層內嵌埋有一表面外露于該介電層的第一表面的第一線路層、及多個一端外露于該介電層的第二表面并電性連接該第一線路層的導電柱，其中，外露于該介電層的第一表面的第一線路層上形成有多個突出構件；

將第一表面處理層形成于該多個突出構件的接觸面上；

將多個第一導電元件分別包覆該多個突出構件的接觸面上的該第一表面處理層；以及

形成第二線路層于該介電層的第二表面上以電性連接外露于該介電層的第二表面的該多個導電柱，

其中，該突出構件、第一表面處理層與第一導電元件依序形成于該第一線路層上方，

其中，該制法還包括下列步驟以提供該介電層：

準備一具有相對的第一表面與第二表面的承載板；

形成多個凹部于該承載板的第二表面；

形成該多個突出構件于該多個凹部；

形成該第一線路層于該承載板的第二表面；

形成該多個導電柱于該第一線路層上；以及

形成該介電層。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該多個突出構件的下表面齊平于該承載板的第二表面。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該第一線路層的制程包括：

形成一第一阻層于該承載板的第二表面及該突出構件的下表面上；

形成多個第一溝槽于該第一阻層；以及

形成該第一線路層于該多個第一溝槽內，且該第一線路層具有多個第一電性接觸墊，以分別電性連接該多個突出構件的下表面。

4.如權利要求3所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該多個導電柱的制程包括：

形成一具有多個開孔的第二阻層于該第一阻層與該第一線路層上，且該多個開孔分別外露出部分該第一線路層；以及

形成該多個導電柱于該多個開孔內，且該多個導電柱的第一端部分別電性連接外露于該多個開孔的第一線路層。

5.如權利要求4所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該介電層的制程包括：

移除該第一阻層與該第二阻層，以外露出該第一線路層及該多個導電柱；以及

形成該介電層于該承載板上，以包覆該第一線路層及該多個導電柱并外露出該多個導電柱的第二端部。

6.如權利要求5所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該第二線路層的制程包括：

形成一具有多個第二溝槽的第三阻層于該介電層的第二表面上，且該多個第二溝槽外露出該多個導電柱的第二端部及部分該介電層的第二表面；以及

形成該第二線路層于該多個第二溝槽內，且該第二線路層的多個第二電性接觸墊分別電性連接該多個導電柱的第二端部。

7.如權利要求6所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括：

移除該第三阻層，以外露出該介電層的第二表面及該第二線路層；以及

形成絕緣保護層于該介電層的第二表面上，以包覆該第二線路層并外露出部分該第二線路層。

8.如權利要求7所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括：

形成一具有至少一開口的框體于該承載板的第一表面上；

依據該框體的開口移除部分該承載板；以及

進行切單作業。

9.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括將半導體元件透過該多個第一導電元件接置于該多個突出構件上。

10.如權利要求9所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括形成絕緣材于該介電層的第一表面與該半導體元件之間，以包覆該第一線路層及該多個第一導電元件。

11.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括形成第二表面處理層于該第二線路層上。

12.如權利要求11所述的半導體封裝結構的制法，其特征為，該制法還包括形成多個第二導電元件于該第二表面處理層上以分別電性連接該第二線路層。