[發明專利]圖案驗證方法

有效

• 申請號: 201410673518.1
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105679656B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 謝德賢;陳明瑞;王正德;李靜怡;馬健原;陳彥群
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/76;G03F1/36;G03F1/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種圖案驗證方法。首先將該目標圖案分解為一第一圖案以及一第二圖案，接著對第一圖案進行一第一光學鄰近校正制作工藝，以獲得一第一校正圖案，以及對第二圖案進行一第二光學鄰近校正制作工藝，以獲得一第二校正圖案。接著進行一檢驗步驟，包含考慮目標圖案、第一圖案、第一校正圖案、第二圖案、第二校正圖案以及硬掩模蝕刻制作工藝的參數。

技術領域

本發明涉及一種圖案驗證(pattern verifying)方法，特別來說，涉及一種應用于雙重圖案化技術(double patterning technology,DPT)的圖案驗證方法。

背景技術

在半導體制作工藝上，為了將集成電路(integrated circuits)的圖案順利地轉移到半導體芯片上，必須先將電路圖案設計于一光掩模布局圖上，之后依據光掩模布局圖所輸出的光掩模圖案(photomask pattern)來制作一光掩模，并且將光掩模上的圖案以一定的比例轉移到該半導體芯片上，也就是俗稱的光刻技術(lithography)。

而隨著半導體電路的集成層次的快速增加，光刻技術所要求的線寬也越來越小，各半導體元件間的距離也日益縮短。上述元件的距離在曝光制作工藝中會因為光學特性的影響而有其物理上的限制。舉例來說，為了得到微小尺寸的元件，光掩模的透光區的間隔(pitch)將配合元件尺寸而縮小，但若透光區之間的間隔縮小至特定范圍時(曝光波長為1/2或以下時)，通過光掩模的光線會發生繞射的現象，進而影響轉移后圖案的分辨率。再者，當光掩模的透光區之間具有不同的間隔時，其中通過間隔較小的透光區的光線會受到具有較大間隔的透光區的影響而使得轉移后的圖案發生扭曲的現象。

目前發展出一種雙重曝光技術，將目標圖案分解為兩個圖案，并經由兩次的曝光制作工藝以分別將此兩個圖案先后形成于光致抗蝕劑層上。由于分解后的圖案的間距較大，故可利用現有的曝光機臺來完成。但通過兩次光刻制作工藝來形成目標圖案的方式，仍有許多問題需要克服。

發明內容

本發明的目的在于提供了一種圖案驗證方法，特別應用在雙重圖案化技術，以解決上述問題。

根據本發明的一實施例，本發明提供一種圖案驗證方法，使用在一雙重圖案化技術以通過至少一硬掩模蝕刻制作工藝以形成一圖案化硬掩模層。圖案化硬掩模層具有一目標圖案，雙重圖案化技術包含使用一第一光掩模以及一第二光掩模，其中該圖案驗證方法首先將該目標圖案分解(decompose)為一第一圖案以及一第二圖案，接著對第一圖案進行一第一光學鄰近校正制作工藝，以獲得一第一校正圖案，以及對第二圖案進行一第二光學鄰近校正制作工藝，以獲得一第二校正圖案。接著進行一檢驗步驟，包含考慮目標圖案、第一圖案、第一校正圖案、第二圖案、第二校正圖案以及硬掩模蝕刻制作工藝的參數。

本發明所提供的一種圖案檢驗的方法，其主要應用在雙重圖案化技術中。由于考慮到了各種類型雙圖案化技術的每個步驟，因此所形成的硬掩模層或目標層能具有正確的目標圖案。

附圖說明

圖1至圖8為本發明一種雙重圖案化技術的步驟示意圖；

圖9為本發明一種圖案驗證方法的流程圖。

主要元件符號說明

300 基板 500R 第二校正圖案

302 目標層 502 第二光掩模

302’ 圖案化目標層 504 第二光致抗蝕劑層

304 硬掩模層 504’ 圖案化第二光致抗蝕劑層