[發明專利]圖案驗證方法

有效

• 申請號: 201410673518.1
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105679656B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 謝德賢;陳明瑞;王正德;李靜怡;馬健原;陳彥群
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F1/76;G03F1/36;G03F1/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種圖案驗證(pattern verifying)方法，使用于一雙重圖案化技術(doublepatterning technology,DPT)，該雙重圖案化技術包含：使用第一光掩模以對一第一光致抗蝕劑進行一第一光刻制作工藝；使用第二光掩模以對一第二光致抗蝕劑進行一第二光刻制作工藝；以及進行一硬掩模蝕刻制作工藝以形成一圖案化硬掩模層；進行一目標層蝕刻制作工藝，以該圖案化硬掩模層為掩模，以形成一圖案化目標層，該圖案化硬掩模層具有目標圖案，其中該圖案驗證方法包含：

使用一電腦系統，將該目標圖案分解(decompose)為一第一圖案以及一第二圖案；

對該第一圖案進行一第一光學鄰近校正(optical proximity correction,OPC)制作工藝，以獲得一第一校正圖案，以及對該第二圖案進行一第二光學鄰近校正制作工藝，以獲得一第二校正圖案；以及

進行一檢驗步驟，包含：

后掩模檢驗步驟，包含：考慮該目標圖案、該第一圖案、該第二圖案以及該硬掩模蝕刻制作工藝的參數；以及確認該圖案化硬掩模層是否包含易錯圖案；

后蝕刻檢驗步驟，包含考慮該目標圖案以及該目標層蝕刻制作工藝的參數；以及確認該圖案化目標層是否包含易錯圖案。

2.如權利要求1所述的圖案驗證方法，其中該硬掩模蝕刻制作工藝的參數包含：蝕刻種類、蝕刻能量、蝕刻溫度、蝕刻氣體、蝕刻劑、該第一光致抗蝕劑層的厚度或材質、該第二光致抗蝕劑層的厚度或材質、或硬掩模層的厚度或材質。

3.如權利要求1所述的圖案驗證方法，其中該目標層蝕刻步驟的參數包含：蝕刻種類、蝕刻能量、蝕刻溫度、蝕刻氣體、蝕刻劑、該圖案化硬掩模層的厚度或材質、或該圖案化目標層的厚度或材質。

4.如權利要求1所述的圖案驗證方法，其中該檢驗步驟還包含一第一后顯影檢驗(after development inspection,ADI)步驟，包含考慮該第一校正圖案以及該第一光刻制作工藝的參數。

5.如權利要求4所述的圖案驗證方法，其中該第一光刻制作工藝的參數包含：光源、透鏡、顯影劑、該第一光掩模的種類、該第一光致抗蝕劑層的厚度或材料。

6.如權利要求1所述的圖案驗證方法，其中該檢驗步驟還包含一第二后顯影檢驗步驟，包含考慮該第二校正圖案以及該第二光刻制作工藝的參數。

7.如權利要求6所述的圖案驗證方法，其中該第二光刻制作工藝的參數包含：光源、透鏡、顯影劑、該第二光掩模的種類、該第二光致抗蝕劑層的厚度或材料。

8.如權利要求1所述的圖案驗證方法，其中該雙重圖案化技術的該硬掩模蝕刻制作工藝包含一第一蝕刻制作工藝以及一第二蝕刻制作工藝，該雙重圖案化技術包含：

使用該第一光掩模以對一第一光致抗蝕劑進行一第一光刻制作工藝；

進行該第一蝕刻制作工藝；

使用該第二光掩模以對該第二光致抗蝕劑進行一第二光刻制作工藝；以及

進行該第二蝕刻制作工藝。

9.如權利要求8所述的圖案驗證方法，其中該檢驗步驟包含一后掩模檢驗步驟，該后掩模檢驗步驟包含考慮該目標圖案、該第一圖案、該第二圖案、該第一蝕刻步驟以及該第二蝕刻步驟的參數。

10.如權利要求9所述的圖案驗證方法，其中該第一蝕刻步驟的參數包含：蝕刻種類、蝕刻能量、蝕刻溫度、蝕刻氣體、蝕刻劑、該第一光致抗蝕劑層的材料的厚度或材料、該硬掩模層的厚度或材料。

11.如權利要求9所述的圖案驗證方法，其中該第二蝕刻步驟的參數包含：蝕刻種類、蝕刻能量、蝕刻溫度、蝕刻氣體、蝕刻劑、該第二光致抗蝕劑層的材料的厚度或材料、該硬掩模層的厚度或材料。