[發(fā)明專利]光學(xué)組件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410669594.5
• 申請(qǐng)日: 2014-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104658982A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳敏璋;徐文慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山中辰矽晶有限公司;陳敏璋
• 主分類號(hào): H01L23/04
• 分類號(hào): H01L23/04;H01L21/48
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種光學(xué)組件及其制造方法，并且特別地，關(guān)于對(duì)寬頻光皆具有低反射率且對(duì)光入射角度不敏感的光學(xué)組件及其制造方法。

背景技術(shù)

光伏系統(tǒng)的保護(hù)蓋、照明系統(tǒng)的光罩、攝影系統(tǒng)的保護(hù)蓋等，皆為這些系統(tǒng)的必要光學(xué)組件。這些光學(xué)組件的入光面與出光面對(duì)于入射光線的反射率直接影響這些系統(tǒng)的效能。

上述光學(xué)組件對(duì)于寬頻可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍皆應(yīng)具有低反射率。相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)已有通過(guò)蒸鍍或?yàn)R鍍工藝在基材表面上反復(fù)鍍上不同的光學(xué)薄膜以完成多層薄膜結(jié)構(gòu)。此多層薄膜結(jié)構(gòu)對(duì)寬頻可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍的反射率皆很低。然而，此多層薄膜結(jié)構(gòu)對(duì)于入射光的入射角度相當(dāng)敏感，也就是此多層薄膜結(jié)構(gòu)對(duì)于入射角度較大的入射光，反射率也較大。

綜觀現(xiàn)有技術(shù)所制造的光學(xué)組件，尚未見(jiàn)到對(duì)寬頻光皆具有低反射率且對(duì)光入射角度不敏感的光學(xué)組件被提出。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明所欲解決的一技術(shù)問(wèn)題在于提供一種對(duì)寬頻光皆具有低反射率且對(duì)光入射角度不敏感的光學(xué)組件及其制造方法。

本發(fā)明的一優(yōu)選具體實(shí)施例的光學(xué)組件包含透明的基材、第一引晶層、多個(gè)第一納米柱以及第一保護(hù)層。第一引晶層形成以覆蓋透明的基材的入光面。多個(gè)第一納米柱形成在第一引晶層上。第一保護(hù)層形成以完全覆蓋多個(gè)第一納米柱。

在一具體實(shí)施例中，多個(gè)第一納米柱大體上垂直透明的基材的入光面。

在一具體實(shí)施例中，多個(gè)第一納米柱在透明的基材的入光面上成多個(gè)叢集排列。每一個(gè)叢集由多個(gè)與基材的入光面的法線方向成不同夾角的第一納米柱所構(gòu)成。

進(jìn)一步，本發(fā)明的光學(xué)組件還包含第二引晶層、多個(gè)第二納米柱以及第二保護(hù)層。第二引晶層形成以覆蓋透明的基材的出光面。多個(gè)第二納米柱形成在第二引晶層上。第二保護(hù)層形成以完全覆蓋多個(gè)第二納米柱。

本發(fā)明的第一優(yōu)選具體實(shí)施例的制造光學(xué)組件的方法，首先制備透明的基材。接著，本發(fā)明的方法形成第一引晶層以覆蓋透明的基材的入光面。接著，本發(fā)明的方法在第一引晶層上形成多個(gè)第一納米柱。最后，本發(fā)明的方法形成第一保護(hù)層以完全覆蓋多個(gè)第一納米柱。

在一具體實(shí)施例中，第一引晶層由第一氧化物形成，并且可以通過(guò)水熱法(hydrothermal?synthesis)工藝、原子層沉積(atomic?layer?deposition)工藝、濺鍍工藝、溶膠-凝膠工藝、有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、電化學(xué)沉積工藝，或其它沉積工藝形成。

在一具體實(shí)施例中，多個(gè)第一納米柱由第二氧化物形成，并且可以通過(guò)水熱法工藝、溶膠-凝膠工藝、有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝、化學(xué)氣相沉積法、電化學(xué)沉積工藝、模版工藝、氣液固沉積(vapor-liquid-solid?growth)工藝、氣相傳輸沉積工藝，或其它沉積工藝形成。

與現(xiàn)有技術(shù)不同，本發(fā)明的光學(xué)組件不但對(duì)寬頻光具有低反射率，而且對(duì)光入射角度不敏感。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的一優(yōu)選具體實(shí)施例的光學(xué)組件的剖面視圖及第一納米柱與第一引晶層接合處的局部放大圖；

圖2是本發(fā)明的光學(xué)組件的一實(shí)施例的側(cè)視掃描式電子顯微鏡(SEM)照片；

圖3是本發(fā)明的光學(xué)組件的一實(shí)施例的頂視SEM照片；

圖4是本發(fā)明的光學(xué)組件的一變化的剖面視圖及第二納米柱與第二引晶層接合處B的局部放大圖；

圖5至圖7是本發(fā)明的一優(yōu)選具體實(shí)施例的制造光學(xué)組件的方法過(guò)程的剖面視圖；

圖8是本發(fā)明的對(duì)齊類型的第一納米柱的側(cè)視示意圖；

圖9是本發(fā)明的準(zhǔn)對(duì)齊類型的第一納米柱的側(cè)視示意圖；

圖10是本發(fā)明的花朵類型的第一納米柱的側(cè)視示意圖；

圖11及圖12是本發(fā)明的制造光學(xué)組件的方法進(jìn)一步的步驟過(guò)程的剖面視圖；

圖13是本發(fā)明的ZnO第一納米柱的一實(shí)施例的反射率測(cè)試結(jié)果。

符號(hào)說(shuō)明：

1、光學(xué)組件

10、透明的基材

102、入光面

104、出光面

12、第一引晶層

14、第一納米柱

16、第一保護(hù)層

17、第二引晶層

18、第二納米柱

19、第二保護(hù)層

N、法線方向。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參閱圖1，圖1以剖面視圖示意地顯示本發(fā)明的一優(yōu)選具體實(shí)施例的光學(xué)組件1。本發(fā)明的光學(xué)組件1可以做為光伏系統(tǒng)的保護(hù)蓋、照明系統(tǒng)的光罩、攝影系統(tǒng)的保護(hù)蓋等，但不以此為限。