[發明專利]防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現方法

有效

• 申請號: 201410667926.6
• 申請日: 2014-11-20
• 公開（公告）號: CN105633088B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 肖特
• 申請（專利權）人: 上海華虹集成電路有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11526
• 分類號: H01L27/11526;H01L23/552;H01L23/58
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發明公開了一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現方法，采用一個EEPROM存儲器，可以正常進行EEPROM讀寫操作，采用一個M_n金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區域覆蓋，采用多個第一接地連接孔將M_n金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上，采用一個M_k金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區域覆蓋，采用多個第二接地連接孔將M_k金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；其中，M_n為EEPROM存儲器芯片中第n層金屬，M_k為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，且k≠n。本發明可以防止通過紫外線照射方法擦除EEPROM數據。

技術領域

本發明涉及存儲器擦寫及工藝版圖設計領域，特別是涉及一種防止EEPROM(帶電可擦可編程只讀存儲器)被紫外線擦寫的版圖實現方法。

背景技術

EEPROM作為一種掉電后數據不丟失的存儲芯片，可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。EEPROM是器件中存在浮柵結構，EEPROM的寫入就是通過某種效應讓電子聚集在浮柵上，EEPROM擦除(非電擦除)是指在需要消去電子時,可以利用紫外線進行照射,給電子足夠的能量,逃逸出浮柵。通常嵌入式芯片中EEPROM從測試模式進入到應用模式后，EEPROM就不可以再被擦除。但可以采用上面的紫外線照射方法從物理層面將數據擦除。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現方法，可以防止通過紫外線照射方法擦除EEPROM數據。

為解決上述技術問題，本發明的防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現方法是采用如下技術方案實現的：

采用一個EEPROM存儲器，可以正常進行EEPROM讀寫操作；

采用一個M_n金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區域覆蓋；

采用多個第一接地連接孔將M_n金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；

采用一個M_k金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區域覆蓋；

采用多個第二接地連接孔將M_k金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；

其中，M_n為EEPROM存儲器芯片中第n層金屬，M_k為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬，n和k均為正整數，且k≠n。

隨著芯片設計技術的發展，產品在實現更多功能的同時，芯片的安全變的越來越重要。本發明以較簡單物理實現的方法，實現了在非授權情況下保護EEPROM數據被擦寫的功能，從而提高了產品的安全和市場競爭力。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

附圖是防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構示意圖。

具體實施方式

從背景技術部分的分析可以知道，當紫外線照射EEPROM芯片時，可以進行數據擦除；而通過版圖設計方法能夠禁止這種通過紫外線擦除EEPROM的方式。結合附圖所示，所述防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖結構，具體實現方式是：

采用一個容量為P能夠正常進行讀寫操作的EEPROM存儲器，例如10K，40K…等的EEPROM。

在EEPROM存儲器陣列區域上方，布一層M_n金屬屏蔽層同時通過M_n接地連接孔(第一接地連接孔)將屏蔽層接地。M_n指EEPROM存儲器芯片中第n層金屬。