[發明專利]防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現方法有效
| 申請號： | 201410667926.6 | 申請日： | 2014-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN105633088B | 公開（公告）日： | 2018-10-26 |
| 發明（設計）人： | 肖特 | 申請（專利權）人： | 上海華虹集成電路有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/11526 | 分類號： | H01L27/11526;H01L23/552;H01L23/58 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 eeprom 紫外線 擦寫 版圖 實現 方法 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止EEPROM被紫外線擦寫的版圖實現方法，其特征在于：
采用一個EEPROM存儲器，該EEPROM存儲器能夠正常進行讀寫操作；
采用一個Mn金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區域覆蓋；
采用多個第一接地連接孔將Mn金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；
采用一個Mk金屬屏蔽層，將EEPROM存儲器陣列區域覆蓋；
采用多個第二接地連接孔將Mk金屬屏蔽層連接到EEPROM存儲器芯片中的地信號上；
其中，Mn為EEPROM存儲器芯片中第n層金屬，Mk為EEPROM存儲器芯片中第k層金屬；n和k均為正整數，且k≠n。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
