[發(fā)明專利]一種制備石墨烯的工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410660762.4 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN105585011A | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 平度市華東石墨加工廠 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 266745 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 石墨 工藝 | ||
1.一種制備石墨烯的工藝，其特征是：采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法，以磁控濺射鍍膜系統(tǒng)制備的多晶鈷薄膜為基底，在較低的基底溫度(800℃)、較少的氣體總流量(78sccm)和較短的沉積時間(40s)下成功地制備了高品質(zhì)的1-5個碳原子層的石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備石墨烯的工藝，其特征是：多晶鈷薄膜的制備：采用JGP-450A型多靶磁控濺射鍍膜設(shè)備，將厚度為450nm的鈷薄膜沉積到單晶Si(100)基底上，使用的濺射靶材是直徑為6cm的高純鈷(99.95％)，在將Si(100)基片放入真空室之前分別用丙酮、酒精和去離子水對其進(jìn)行超聲清洗15min去除硅片表面的污漬，當(dāng)真空室的背景壓強(qiáng)達(dá)到6×10-4Pa后，開始在Si(100)基底上沉積鈷薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種制備石墨烯的工藝，其特征是：沉積條件如下：基片溫度為200℃；濺射壓強(qiáng)為1.8Pa；濺射電流為0.4A；基片偏壓為-100V；Ar氣流量保持在60sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備石墨烯的工藝，其特征是：具體工藝：將多靶磁控濺射設(shè)備制備的鈷薄膜放入JGP300A型射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(RF-PECVD，射頻為13.56MHz)的樣品臺上，當(dāng)反應(yīng)室的壓強(qiáng)低于13Pa后，通入Ar氣(20sccm)和H2氣(10sccm)，并保持反應(yīng)室的氣體壓強(qiáng)為220Pa，通過40min將鈷薄膜升溫到800℃，之后將Ar氣和H2氣的流量分別調(diào)至60sccm和15sccm，同時通入碳源氣體—甲烷(3sccm)，當(dāng)反應(yīng)室的氣體壓強(qiáng)穩(wěn)定在1000Pa時，將射頻功率調(diào)節(jié)到200W，40s之后在多晶鈷薄膜上制備得到了石墨烯，沉積結(jié)束后，關(guān)閉甲烷，使反應(yīng)室在Ar和H2的氣氛下快速降溫。
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