[發明專利]用于透射式電子顯微鏡的相位板

在審

• 申請號: 201410660475.3
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN104681383A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發明（設計）人: P.庫斯;S.帕特泰;J.萬塞
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/26
• 分類號: H01J37/26;H01J37/153
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王洪斌;張懿

1.一種用于清潔相位板（1）的方法，所述相位板（1）被設計成設置在透射式電子顯微鏡（TEM）的射束路徑（2）中的檢驗室（7）中并在其中被照射，

用適合于去除包含氧和碳中的至少一個的化合物的蝕刻劑來蝕刻所述相位板（1），

所述蝕刻在第一次在所述TEM中照射所述相位板（1）之前進行，

并且此外，在所述蝕刻之后，將所述相位板（1）在保持氣氛中保持在所述TEM中以用于所述照射，在所述保持氣氛中減少包含氧的化合物和包含碳的化合物中的至少一個的部分，其對于包含氧的所述化合物而言意指至多1·10¹¹/cm³的分子濃度，并且對于包含碳的所述化合物而言意指至多5·10¹³/cm³的分子濃度。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述保持氣氛是高真空。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，蝕刻所述相位板（1）且所述蝕刻是干法蝕刻，優選地至少還是化學干法蝕刻。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述干法蝕刻在所述TEM中進行。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述干法蝕刻在被添加到所述TEM的所述檢驗室（7）的水閘（21）中進行，該水閘（21）可以通過打開內水閘門（22）而被壓力流體連接到所述檢驗室（7），所述蝕刻在所述內水閘門（22）被閉合時進行。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，當所述內水閘門（22）被閉合時，所述相位板（1）通過外水閘門（23）而被引入到所述水閘（21）中，然后閉合所述外水閘門（23），并且將所述水閘（21）抽空至中間壓力，在該中間壓力下然后進行所述干法蝕刻，然后進行進一步抽空直至為所述中間壓力的至多1/10的最終壓力，并且，然后打開所述內水閘門（22），并且將所述相位板（1）引入到所述檢驗室（7）中。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，所述干法蝕刻在所述TEM的所述檢驗室（7）中進行。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述TEM的所述檢驗室（7）被打開，當所述檢驗室（7）被充滿時，插入所述相位板（1），并且然后將所述檢驗室（7）抽空直至然后以其進行所述干法蝕刻的中間壓力，然后進行抽空至為所述中間壓力的至多1/10的最終壓力。

9.根據權利要求3至8中的任一項所述的方法，其中，為了所述干法蝕刻而提供的過程氣體包括氫氣和氧氣中的至少一個。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，包含氧氣的氣體，優選地環境空氣被與權利要求6相組合地向所述水閘（21）供應、計量，或者被與權利要求8相組合地向所述檢驗室（7）供應，以便設定至多5·10^-3毫巴和至少5·10^-5毫巴的中間壓力且用氧氣作為過程氣體來進行干法蝕刻。

11.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，蝕刻所述相位板（1）且所述蝕刻劑相對于包含氧和碳中的至少一個的所述化合物而具有至少0.05?nm/h的蝕刻速率。

12.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，所述相位板（1）具有至少由金屬、優選地鉻制成的第一層的第一相位板材料。

13.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中，所述相位板（1）具有至少第一層的第一相位板材料和第二層的第二相位板材料，該第二相位板材料由硅、優選地多晶硅制成。

14.一種透射式電子顯微鏡，被設計用于根據權利要求1至13中的任一項的方法，包括

檢驗室（7），以及

相位板（1），其被設置在所述透射式電子顯微鏡的所述檢驗室（7）中的所述射束路徑中，

所述透射式電子顯微鏡還包括干法蝕刻設備，借助于該干法蝕刻設備，可以用所述蝕刻劑來蝕刻所述相位板（1），所述干法蝕刻設備（8）被提供使得在所述蝕刻之后，可以將所述相位板（1）保持在所述保持氣氛中直至所述TEM中的所述照射為止。