[發(fā)明專利]運(yùn)算放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410654712.5
• 申請(qǐng)日: 2014-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN104393846B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵博聞;唐成偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H03F3/45
• 分類號(hào): H03F3/45
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31211
• 代理人: 郭四華

1.一種運(yùn)算放大器,其特征在于,包括：

第一級(jí)放大電路，為單端輸出差分放大電路，所述單端輸出差分放大電路的反相輸出端作為所述第一級(jí)放大電路的輸出端并輸出第一級(jí)放大信號(hào)；

第二級(jí)放大電路，其輸入端連接所述第一級(jí)放大信號(hào)，所述第二級(jí)放大電路的輸出端輸出第二級(jí)放大信號(hào)；所述第二級(jí)放大電路的輸入端和輸出端之間連接第一電容；所述第一電容在所述第二級(jí)放大電路的輸入端和輸出端形成密勒補(bǔ)償通路；

所述第二級(jí)放大電路包括第一MOS晶體管，所述第一MOS晶體管和所述第二級(jí)放大電路的輸出端相連并為所述第二級(jí)放大電路提供電流源負(fù)載；

所述單端輸出差分放大電路的反相輸入端通過第二電容連接到所述第一MOS晶體管的柵極，前饋通路形成在所述單端輸出差分放大電路的反相輸入端和所述第二級(jí)放大電路的輸出端之間且由所述第二電容和所述第一MOS晶體管組成，所述第一MOS晶體管對(duì)前饋通路信號(hào)放大且所述第一MOS晶體管的跨導(dǎo)設(shè)置為大于所述第一級(jí)放大電路的跨導(dǎo)使運(yùn)算放大器形成一個(gè)左半平面零點(diǎn)；

所述第二級(jí)放大電路的放大部分由第六PMOS管組成，所述第一MOS晶體管為NMOS管，所述第六PMOS管的源極連接電源電壓，所述第六PMOS管的柵極作為所述第二級(jí)放大電路的輸入端，所述第六PMOS管的漏極連接所述第一MOS晶體管的漏極并作為所述第二級(jí)放大電路的輸出端，所述第一MOS晶體管的源極接地；

所述運(yùn)算放大器還包括第二電流源、第七NMOS管，所述第二電流源輸入到所述第七NMOS管的漏極，所述第七NMOS管的漏極和柵極連接所述第一MOS晶體管的柵極，所述第七NMOS管的源極接地，所述第一MOS晶體管為所述第七NMOS管的鏡像路徑并提供所述電流源負(fù)載；

所述第七NMOS管的漏極和柵極通過一電阻連接所述第一MOS晶體管的柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器,其特征在于：由第二MOS晶體管和第三MOS晶體管組成所述單端輸出差分放大電路的輸入對(duì)管，所述第二MOS晶體管的柵極為所述單端輸出差分放大電路的反相輸入端，所述第三MOS晶體管的柵極為所述單端輸出差分放大電路的正相輸入端，所述第三MOS晶體管的漏極作為所述單端輸出差分放大電路的反相輸出端。

3.如權(quán)利要求2所述的運(yùn)算放大器,其特征在于：所述第二MOS晶體管和所述第三MOS晶體管都為NMOS管。

4.如權(quán)利要求3所述的運(yùn)算放大器,其特征在于：所述第二MOS晶體管的負(fù)載由第四PMOS管組成，所述第三MOS晶體管的負(fù)載由第五PMOS管組成，所述第四PMOS管的源極和所述第五PMOS管的源極都連接電源電壓，所述第四PMOS管的柵極和漏極和所述第五PMOS管的柵極都連接所述第二MOS晶體管的漏極，所述第五PMOS管的漏極連接所述第三MOS晶體管的漏極。

5.如權(quán)利要求3所述的運(yùn)算放大器,其特征在于：所述第二MOS晶體管和所述第三MOS晶體管的源極都連接第一電流源。

6.如權(quán)利要求5所述的運(yùn)算放大器,其特征在于：所述運(yùn)算放大器還包括第二電流源、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第二電流源輸入到所述第七NMOS管的漏極，所述第七NMOS管的漏極和柵極連接所述第八NMOS管的柵極，所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的源極都接地，所述第八NMOS管為所述第七NMOS管的鏡像路徑并提供所述第一電流源。