[發(fā)明專利]西數(shù)3.5寸硬盤平推式底層通信設(shè)備及其底層通信方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410654605.2 | 申請日: | 2014-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN104392734A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡楊毅;蔡杰;莫小麗 | 申請(專利權(quán))人: | 江門市未來之星網(wǎng)絡(luò)科技有限公司 |
| 主分類號: | G11B17/051 | 分類號: | G11B17/051;G11C29/56 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 江側(cè)燕 |
| 地址: | 529000 廣東省江門*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 3.5 硬盤 平推式 底層 通信 設(shè)備 及其 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種硬盤通信設(shè)備及其通信方法,西數(shù)3.5寸硬盤平推式底層通信設(shè)備及其底層通信方法。
背景技術(shù)
隨著手機(jī)、MP4、電腦等諸多電子產(chǎn)品的日漸普及,由此帶來的電子垃圾污染問題也日益嚴(yán)重。而在每年產(chǎn)生的巨量的電子垃圾中,有近七成的西數(shù)硬盤是可以進(jìn)行回收并循環(huán)再生利用的,可是由于很多西數(shù)硬盤不通電、電機(jī)不轉(zhuǎn)動、磁頭撞擊、無法就緒、大量壞道、無法讀寫等故障,特別是新款的西數(shù)硬盤有一種常見的故障,因?yàn)橛脖P電路板的ROM信息出錯,導(dǎo)致硬盤通電后,電機(jī)是不起轉(zhuǎn)的,如果是外置的ROM芯片就可以直接更換處理,可是新款的西數(shù)硬盤將ROM芯片固化到主芯片中,讓用戶自己無法單獨(dú)更換ROM芯片,以致無法用現(xiàn)有的常規(guī)方法維修,很多時(shí)候,用戶都會把這些硬盤直接報(bào)廢,本發(fā)明就是闡述一種方法,可以精確判斷不通電的新款西數(shù)硬盤是不是屬于這類故障。這類故障是可以進(jìn)行維修的,只是目前還沒有一種很好的工具能針對這類故障的新款西數(shù)硬盤進(jìn)行可靠性檢測、再生修復(fù),現(xiàn)有的修復(fù)過程復(fù)雜,再生成本高,進(jìn)而限制了西數(shù)硬盤的回收利用率。由于無法通過ATA信道口讀取西數(shù)硬盤的數(shù)據(jù),因此沒有維修基礎(chǔ),但是如果能從硬盤的COM口中實(shí)現(xiàn)西數(shù)硬盤的底層通信,則有可能進(jìn)行維修。如果需要通過硬盤的COM口進(jìn)行通信,一般需要手工連接COM口接頭,而西數(shù)3.5寸硬盤的COM口具有8個(gè)數(shù)據(jù)端,要如何識別這些端口是十分困難的,而且在操作中很容易出現(xiàn)誤插的情形。在長時(shí)間的拔插中,還容易因?yàn)椴僮鞑划?dāng)對COM口插頭造成損壞,十分不便。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種用于維修西數(shù)硬盤的平推式底層通信設(shè)備及其底層通信方法,能十分方便實(shí)現(xiàn)硬盤COM的連接,避免由于操作不當(dāng)出現(xiàn)損壞COM口插頭,連接位置錯誤的情況。
本發(fā)明解決其問題所采用的技術(shù)方案是:
西數(shù)3.5寸硬盤平推式底層通信設(shè)備,包括硬盤安裝支架和TTL主芯片電路板,所述硬盤安裝支架包括硬盤進(jìn)入口和設(shè)置于其兩側(cè)用于供西數(shù)硬盤推至后側(cè)底部的平推式導(dǎo)槽,所述硬盤安裝支架包括設(shè)置于后側(cè)的接線面板,所述接線面板上設(shè)置有與西數(shù)硬盤COM口位置相對應(yīng)的COM連接口,所述COM連接口上設(shè)置有分別與西數(shù)硬盤COM口內(nèi)8根插針相對應(yīng)的上下兩排插口,每排插口設(shè)置有4個(gè)插口,所述TTL主芯片電路板包括TTL主芯片和用于連接PC控制器的USB端口,所述COM連接口內(nèi)8根插口的輸出端與TTL主芯片連接。
所述TTL主芯片51包括RXD端口、TXD端口和GND端口,COM連接口2上排左邊開始第二、第三根插口21分別為與西數(shù)硬盤TXD端和RXD端連接的TXD插口23和RXD插口22,下排左邊開始第三根插口21為與西數(shù)硬盤GND端連接的GND插口24,所述TTL主芯片51的RXD端口、TXD端口和GND端口分別通過RXD插口22、TXD插口23和GND插口24連接西數(shù)硬盤的RXD端、TXD端和GND端,通過RXD、TXD、GND端實(shí)現(xiàn)西數(shù)硬盤的底層通信。
進(jìn)一步,所述TTL主芯片通過USB端口連接至PC控制器或直接焊接在PC控制器的通信端口上。
進(jìn)一步,所述接線面板上還設(shè)有與西數(shù)硬盤ATA端口、電源端口位置相對應(yīng)ATA插口和電源插口,所述COM連接口、ATA插口和電源插口位于同一水平線上,接線面板上從左到右依次的排布為COM連接口、ATA插口、電源插口。
進(jìn)一步,所述硬盤進(jìn)入口上設(shè)置有朝外側(cè)方向打開的活動門,所述硬盤的后側(cè)底部上還設(shè)置有推桿,所述推桿通過連桿與活動門連接,當(dāng)活動門打開時(shí),推動連桿向硬盤安裝支架后側(cè)方向運(yùn)動,同時(shí)聯(lián)動使推桿向硬盤進(jìn)入口方向推動,將硬盤推出硬盤進(jìn)入口。
進(jìn)一步,所述硬盤安裝支架的上側(cè)還設(shè)有在放入硬盤時(shí)能對硬盤產(chǎn)生向下夾持作用的彈性夾。
進(jìn)一步,所述硬盤進(jìn)入口的長為103mm,寬為30mm。
一種基于上述西數(shù)3.5寸硬盤平推式底層通信設(shè)備的底層通信方法,包括以下步驟:
步驟A,接收西數(shù)硬盤,將西數(shù)硬盤正面朝上推入平推式導(dǎo)槽中;
步驟B,使西數(shù)硬盤后方的COM口上的8根插針與接線面板上COM連接口的上下兩排各4個(gè)插口連接;
步驟C,設(shè)置虛擬COM口和波特率,?波特率設(shè)置為57600Bps;
步驟D,?PC控制器通過USB端口、TTL主芯片的RXD端口向西數(shù)硬盤的RXD端進(jìn)行接收數(shù)據(jù)測試;
步驟E,若接收數(shù)據(jù)測試成功,則進(jìn)入步驟F,若接收數(shù)據(jù)測試失敗,則更換波特率或者更換硬盤電路板;
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