[發(fā)明專利]嵌入式鍺硅器件的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410654464.4 | 申請日： | 2014-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN105679710A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李全波;崇二敏;張瑜 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 張振軍 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 嵌入式 器件 形成 方法 | ||
1.一種嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底，所述該半導(dǎo)體襯底包括PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域，所述 PMOS區(qū)域和NMOS區(qū)域上形成有柵極結(jié)構(gòu)；
在所述半導(dǎo)體襯底上沉積第一介質(zhì)層；
采用光刻和刻蝕工藝去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層，并將該光刻工藝 中使用的第一光阻去除；
在所述半導(dǎo)體襯底上沉積第二介質(zhì)層；
采用光刻和刻蝕工藝去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第二介質(zhì)層，并將該光刻工藝 中使用的第二光阻去除；
所述第二光阻被去除之后，對所述PMOS區(qū)域內(nèi)柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底 進(jìn)行刻蝕，以形成凹槽；
在所述凹槽中沉積鍺硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，所述第 一介質(zhì)層的材料為SiN或SiO2，所述第二介質(zhì)層的材料為SiN或SiO2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，所述第 一介質(zhì)層的厚度為所述第二介質(zhì)層的厚度為
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，采用光 刻和刻蝕工藝去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層包括：
形成所述第一光阻，并對該第一光阻進(jìn)行圖案化以定義出所述PMOS區(qū)域；
以圖案化后的第一光阻為掩膜對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，以去除所述PMOS 區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，采用濕 法刻蝕去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，采用光 刻和刻蝕工藝去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第二介質(zhì)層包括：
形成所述第二光阻，并對該第二光阻進(jìn)行圖案化以定義出所述PMOS區(qū)域；
以圖案化后的第二光阻為掩膜對所述第二介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，以去除所述PMOS 區(qū)域內(nèi)的第二介質(zhì)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，采用干 法刻蝕去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第二介質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，采用光 刻和刻蝕工藝去除所述PMOS區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層以及第二介質(zhì)層時，兩次光刻 采用的是同一光罩。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，在所述 凹槽中沉積鍺硅之前，該方法還包括：對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行濕法清洗。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式鍺硅器件的形成方法，其特征在于，在所 述凹槽中沉積鍺硅之后，該方法還包括：移除所述NMOS區(qū)域內(nèi)的第一介質(zhì)層和 第二介質(zhì)層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410654464.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：具有腳架的平躺熱敏電阻
- 下一篇：便于與支架連接的新型照相機(jī)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
