[發明專利]一種二極管芯片酸洗工藝

有效

• 申請號: 201410651917.8
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104399702A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 蔡彤;張練佳;賁海蛟;梅余鋒
• 申請（專利權）人: 如皋市易達電子有限責任公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;H01L21/02
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

技術領域

本發明屬于二極管領域，涉及一種二極管芯片酸洗工藝。

背景技術

根據二極管半導體生產原理，芯片要發揮作用時，必須經過酸腐蝕及酸鈍化，二極管芯片的酸洗工藝包括一次酸洗，二次酸洗，氨水與雙氧水混合清洗，最后水超聲清洗。

目前一次酸洗中清洗液為硝酸、硫酸、氫氟酸以及冰醋酸的混合物；二次酸洗中清洗為磷酸、雙氧水和水的混合物，由于焊料中存在Pb，一次酸洗時，會與清洗液中的硫酸反應形成硫酸鉛PbSO_4，硫酸鉛為不溶物，會吸附到芯片的側面，影響硅片的質量。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種能夠提高二極管電性能二極管芯片酸洗工藝。

為解決上述技術問題，本發明的技術方案為：一種二極管芯片酸洗工藝，其創新點在于：所述工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、氨水與雙氧水清洗以及水超聲清洗，其中一次酸洗清洗時間110-125s，二次酸洗清洗時間70-78s；所述一次酸洗的清洗液為HNO₃、HF、CH₃COOH?和H₂SO₄的混合液，二次酸洗的清洗液為H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液。

進一步地，所述一次酸洗液中HNO₃：HF：CH₃COOH?和H₂SO₄的體積比為9?:9?:12:4。

進一步地，所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的體積比為1:0.5~0.8:3:0.5~0.2，且H₂O₂與CH₃COOH總和為一個體積份。

進一步地，所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的體積比為1:?0.8:3:0.2。

本發明的優點在于：本發明的酸洗工藝中，在二次酸洗液中加入了冰醋酸，利用該冰醋酸溶解掉混合酸洗中生成物硫酸鉛，避免硫酸鉛會吸附到芯片的側面，提高了二極管芯片的電性能。

具體實施方式

實施例1

本發明公開了一種二極管芯片酸洗工藝，該工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、氨水與雙氧水清洗及水超聲清洗，其中一次酸洗清洗時間110-125s，二次酸洗清洗時間70-78s；二次酸洗的清洗液體積組成為HNO₃：HF：CH₃COOH?：H₂SO₄=?9?:9?:12:4；二次酸洗的清洗液體積組成為H₃PO₄、H₂O₂、H₂O：CH₃COOH=?1:0.5:3:0.5。

實施例2

一種二極管芯片酸洗工藝，該工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、氨水與雙氧水清洗及水超聲清洗，其中一次酸洗清洗時間110-125s，二次酸洗清洗時間70-78s；二次酸洗的清洗液體積組成為HNO₃：HF：CH₃COOH?：H₂SO₄=?9?:9?:12:4；二次酸洗的清洗液體積組成為H₃PO₄、H₂O₂、H₂O：CH₃COOH=?1:0.6:3:0.4。

實施例3