[發明專利]一種二極管芯片酸洗工藝

有效

• 申請號: 201410651917.8
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104399702A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 蔡彤;張練佳;賁海蛟;梅余鋒
• 申請（專利權）人: 如皋市易達電子有限責任公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;H01L21/02
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 滑春生

1.一種二極管芯片酸洗工藝，其特征在于：所述工藝依次為一次酸洗、二次酸洗、氨水與雙氧水清洗及水超聲清洗，其中一次酸洗清洗時間110-125s，二次酸洗清洗時間70-78s；所述一次酸洗的清洗液為HNO₃、HF、CH₃COOH?和H₂SO₄的混合液，二次酸洗的清洗液為H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液。

2.根據權利要求1所述的二極管芯片酸洗工藝，其特征在于：所述一次酸洗液中HNO₃：HF：CH₃COOH?和H₂SO₄的體積比為9?:9?:12:4。

3.根據權利要求1所述的二極管芯片酸洗工藝，其特征在于：所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的體積比為1:0.5~0.8:3:0.5~0.2，且H₂O₂與CH₃COOH總和為一個體積份。

4.根據權利要求1所述的二極管芯片酸洗工藝，其特征在于：所述二次酸洗液中H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的體積比為1:?0.8:3:0.2。