[發(fā)明專利]一種制備硅質(zhì)靶材的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410648620.6
• 申請(qǐng)日: 2014-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN104451564A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭遲香
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市長安東陽光鋁業(yè)研發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;楊晞

1.一種制備硅質(zhì)靶材的方法，其特征在于，將高純多晶硅原料與摻雜劑混合裝料后，置于鑄錠爐內(nèi)抽真空、加熱熔化、長晶、退火和冷卻后，切割打磨硅錠制得方形靶材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述高純多晶硅原料的純度大于99.999％，形狀為塊狀、顆粒狀或粉末。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的摻雜劑選自單質(zhì)硼、硼硅合金、硼鋁合金中至少一種，依據(jù)電阻率調(diào)節(jié)摻雜劑的質(zhì)量，使混合后硅料的硼濃度為5～25ppm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的加熱熔化過程分兩步進(jìn)行，先以260-320℃/h的速率升至1560℃后，保溫一段時(shí)間至硅液完全熔化后再保溫0.5-1h，使硅液各處成分均勻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述長晶是指提升隔熱籠使硅錠的生長速率為1-3cm/h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的退火是在1360℃下處理5h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述冷卻是指全部打開隔熱籠至硅錠的溫度冷卻至200℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所制得的硅質(zhì)靶材的電阻率為0.025-0.05Ω·cm。