[發明專利]嵌入式元件封裝結構的制作方法有效
| 申請號: | 201410647596.4 | 申請日: | 2014-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN105655258B | 公開(公告)日: | 2018-07-13 |
| 發明(設計)人: | 余丞博;陳盈儒 | 申請(專利權)人: | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 對位柱 堆疊元件 線路基板 對位孔 載板 嵌入式元件 封裝結構 介電層 開口 模塊設置 導通孔 貫穿 制作 嵌入 對準 | ||
1.一種嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,包括:
提供具有相對兩表面的載板,該載板具有位于該兩表面的其中一者上的至少兩對位柱;
將堆疊元件模塊設置在具有該至少兩對位柱的該表面上,其中該堆疊元件模塊位于該至少兩對位柱之間;
提供線路基板,包括第一介電層,其中該第一介電層具有相對的第一表面與第二表面、位于該第二表面的至少兩對位孔以及貫穿該第一表面與該第二表面的貫穿開口及至少一導通孔;以及
使各該對位柱對準于對應的該對位孔,并將該線路基板設置在該載板上,以令各該對位柱嵌入對應的該對位孔,且該堆疊元件模塊埋設在該貫穿開口內。
2.根據權利要求1所述的嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,該堆疊元件模塊的制作方法包括:
a、提供核心板,包括核心介電層與位于該核心介電層上的核心金屬層;
b、圖案化該核心金屬層以形成核心線路層,并形成多個貫孔在該核心介電層;
c、形成膠層在該核心介電層上,其中該膠層與該核心線路層位于該核心介電層的相對兩側,且該膠層覆蓋該些貫孔;
d、將多個元件分別設置在該些貫孔內,且由該膠層所固定;
e、形成增層結構在該核心介電層上,并覆蓋該核心線路層、該些貫孔及該些元件;
重復上述步驟a至e,以分別形成第一封裝體與第二封裝體;以及
利用該第一封裝體與該第二封裝體形成多個該堆疊元件模塊。
3.根據權利要求2所述的嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,利用該第一封裝體與該第二封裝體以形成多個該堆疊元件模塊的制作方法包括:
單體化該第一封裝體以形成多個第一封裝單元;
單體化該第二封裝體以形成多個第二封裝單元;
翻轉該些第二封裝單元,使各該第二封裝單元的該膠層朝向對應的該第一封裝單元的該膠層;以及
移除各該第二封裝單元的該膠層,并使各該第一封裝單元疊置于對應的該第二封裝單元上,其中各該第一封裝單元的該膠層連接對應的該第二封裝單元的該核心介電層。
4.根據權利要求2所述的嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,所述步驟e形成該增層結構在該核心介電層上,并覆蓋該核心線路層、該些貫孔及該些元件的制作方法,包括:
提供增層介電層與增層金屬層,其中該增層金屬層位于該增層介電層的表面上;
使該增層介電層壓合至該核心介電層,以令該增層介電層覆蓋該核心線路層、該些貫孔及該些元件;以及
圖案化該增層金屬層以形成增層線路層,并形成多個導電通孔在該增層介電層,其中各該導電通孔電性連接該增層線路層與對應的該元件。
5.根據權利要求1所述的嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,該載板的制作方法包括:
提供第二介電層,其中該第二介電層的相對兩表面上分別設置有第一金屬層與第二金屬層;以及
圖案化該第一金屬層,以形成該至少兩對位柱。
6.根據權利要求5所述的嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,該第一金屬層的厚度大于該第二金屬層的厚度。
7.根據權利要求5所述的嵌入式元件封裝結構的制作方法,其特征在于,該線路基板的制作方法包括:
提供該第一介電層、位于該第一介電層的該第一表面上的第三金屬層以及位于該第一介電層的該第二表面上的第四金屬層;
圖案化該第三金屬層與該第四金屬層,以分別形成第三線路層與第四線路層;
形成貫穿該第一表面與該第二表面的該至少一導通孔,以電性連接該第三線路層與該第四線路層;以及
形成位于該第二表面的該至少兩對位孔,并形成貫穿該第一表面與該第二表面的該貫穿開口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





