[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件和制造半導(dǎo)體封裝件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410645885.0
• 申請(qǐng)日: 2014-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104637908B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬金希;趙泰濟(jì);金知晃
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/522;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 11286 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王占杰;薛義丹

1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

封裝基體基底；

至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在封裝基體基底上；

第一模制構(gòu)件，設(shè)置在與所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片相同的水平處并且不覆蓋所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片的上表面；

至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片，堆疊在所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片上以在所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片和第一模制構(gòu)件上方延伸，其中，第一模制構(gòu)件的至少一部分和所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片設(shè)置在封裝基體基底和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片之間；

第二模制構(gòu)件，設(shè)置在與所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片相同的水平處，并且不覆蓋所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的上表面；以及

散熱板，設(shè)置在第二模制構(gòu)件的上表面以及所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的上表面上，其中，

第二模制構(gòu)件的最下面的表面在第一模制構(gòu)件和第二模制構(gòu)件之間的界面處接觸第一模制構(gòu)件的最上面的表面，

第二模制構(gòu)件的上表面與所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的上表面共面，

第一模制構(gòu)件由具有第一楊氏模量的材料形成，第二模制構(gòu)件由具有比第一楊氏模量大的第二楊氏模量的材料形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一模制構(gòu)件覆蓋所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，相對(duì)于封裝基體基底的上表面，第一模制構(gòu)件的上表面形成在與所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片的上表面相同的水平處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二模制構(gòu)件覆蓋所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中：

形成第一模制構(gòu)件的材料是包括使得第一模制構(gòu)件具有第一楊氏模量的第一填料顆粒的第一材料；以及

形成第二模制構(gòu)件的材料是包括使得第二模制構(gòu)件具有第二楊氏模量的第二填料顆粒的第一材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中：

形成第二模制構(gòu)件的材料覆蓋所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面并填充所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片之間的空間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中：

形成第二模制構(gòu)件的材料覆蓋所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面，并且不同的材料填充所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片和所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片之間的空間，使得形成第二模制構(gòu)件的材料和所述不同的材料都覆蓋第一模制構(gòu)件的最上面的表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中：

所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片包括穿透電極，

所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片通過(guò)穿透電極電連接到封裝基體基底。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的上表面大于所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片的上表面，和/或，所述至少一個(gè)第二半導(dǎo)體芯片的在與封裝基體基底的上表面平行的第一方向上的寬度大于所述至少一個(gè)第一半導(dǎo)體芯片的在第一方向上的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第一模制構(gòu)件的外側(cè)表面與第二模制構(gòu)件的外側(cè)表面共面。